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ナノインデンター IND-1000

ナノインデンター IND-1000

ナノインデンターは、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの様々な物質の
硬度や弾性率を測定します。AFMに搭載することで、圧痕を直接観察することも可能です。

非接触移動度測定 LEI-1610シリーズ

非接触移動度測定 LEI-1610シリーズ

LEI-1610シリーズでは、2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等)epi ウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が測定可能です。

非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズ

非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズ

LEI-1510シリーズでは、2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等)epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗が可能です。

フラットパネルディスプレイ検査装置 FPTシリーズ

フラットパネルディスプレイ検査装置 FPTシリーズ

フラットパネルディスプレイ用の検査装置です。最大10.5Gまでのパネルの測定に対応しています。

SEM-AFM

SEM-AFM

走査型プローブ顕微鏡(SPM/AFM)は、半導体や金属などの微小領域の表面形状や物理量を観察する顕微鏡です。原子間力顕微鏡AFMで、高精度に物質表面の画像が取得できます。SEMとAFMの組み合わせにより、更に高度な解析が可能になります。

光学式ポロシメーター SE-2000EPA

光学式ポロシメーター SE-2000EPA

SE-2000EPAは、研究開発用の光学式ポロシメーターです。分光エリプソメトリーの原理を利用し、非接触、非破壊で薄膜の細孔率、細孔径分布を高速・高精度に測定します。

In-Situ エリプソメーター inSE-1000

In-Situ エリプソメーター inSE-1000

inSE-1000は、in situでご使用頂ける分光エリプソメーターです。成膜装置などに組み込んでご使用いただけます。

赤外分光エリプソメーター IRSE

赤外分光エリプソメーター IRSE

IRSEは、赤外領域に対応した分光エリプソメーターです。FTIRによりエピ膜厚測定や赤外領域での光学特性(屈折率、消衰係数)の測定が可能です。

真空紫外分光エリプソメーター PUV SE

真空紫外分光エリプソメーター PUV SE

PUV-SEは、真空紫外領域に対応した分光エリプソメーターです。レジスト膜評価などのアプリケーションでご使用いただけます。

ロールツーロール用エリプソメーター R2R SE

ロールツーロール用エリプソメーター R2R SE

R2R SEは、ロールツーロール工程用の分光エリプソメーターです。単層膜から多層膜までの膜厚測定と光学特性(屈折率、消衰係数)の測定が可能です。

簡易分光エリプソメーター SE-1000

簡易分光エリプソメーター SE-1000

分光エリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性(屈折率、消衰係数)を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。

分光エリプソメーター SE-2100 (回転補償子型)

分光エリプソメーター SE-2100 (回転補償子型)

SE-2100は、ラボ用装置であるSE-2000に安全カバーと高スピードサンプルステージを加えた研究開発用の分光エリプソメーターです。

分光エリプソメーター SE-2000 (回転補償子型)

分光エリプソメーター SE-2000 (回転補償子型)

SE-2000は、研究開発用途の分光エリプソメーターです。深紫外から近赤外領域の波長範囲で、単層膜から多層膜までの膜厚測定、光学定数(屈折率、消衰係数)を精度良く測定します。

レーザーエリプソメーター LE-103PV

レーザーエリプソメーター LE-103PV

レーザーエリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性(屈折率、消衰係数)を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。

エミッタ―シート抵抗測定装置 SHR-1000

エミッタ―シート抵抗測定装置 SHR-1000

非接触シート抵抗測定装置です。太陽電池(単結晶、多結晶、アモルファス、有機)の研究開発でご使用頂いています。渦電流法(Eddy Current)により非接触、非破壊でITO膜などの透明導電膜のシート抵抗を高精度で測定可能です。

4探針シート抵抗測定装置 FPP-1000

4探針シート抵抗測定装置 FPP-1000

4探針シート抵抗測定装置です。太陽電池(単結晶、多結晶、アモルファス、有機)の研究開発でご使用頂いています。ITO膜などの透明導電膜のシート抵抗を高精度で測定可能です。

ライフタイム測定装置 WT-1200A

ライフタイム測定装置 WT-1200A

少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。

ライフタイム測定装置 WT-1200 & WT-1200B

ライフタイム測定装置 WT-1200 & WT-1200B

少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。

ライフタイム測定装置 PV-2000A

ライフタイム測定装置 PV-2000A

u-PCD法により非接触・非破壊でライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。電界効果パッシベーションなど、パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。

フォトルミネッセンス装置 PLI-1001/A, PLI-1003/A

フォトルミネッセンス装置 PLI-1001/A, PLI-1003/A

フォトルミネッセンスによりシリコン太陽電池(単結晶、多結晶)の結晶欠陥などを非接触、非破壊で検査します。

SCI 1-6

SCI 1-6

太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。シリコン単結晶、多結晶の太陽電池セルの色測定を非接触・非破壊で行います。

レーザーエリプソメーター SE-100IL

レーザーエリプソメーター SE-100IL

分光エリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性(屈折率、消衰係数)を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。

LE-100IL

LE-100IL

レーザーエリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性(屈折率、消衰係数)を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。

エミッタ―シート抵抗測定装置 CMS, CLS

エミッタ―シート抵抗測定装置 CMS, CLS

太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。渦電流法(Eddy Current)により、シリコン単結晶、多結晶のシート抵抗を非接触・非破壊でモニターします。

ウェハー形状測定装置 TTR-300

ウェハー形状測定装置 TTR-300

太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。シリコン単結晶、多結晶の膜厚と抵抗率を非接触・非破壊でモニターします。

膜厚&抵抗率測定装置 WMT, WLT

膜厚&抵抗率測定装置 WMT, WLT

太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。シリコン単結晶、多結晶の膜厚と抵抗率を非接触・非破壊でモニターします。

ライフタイム測定装置 WML

ライフタイム測定装置 WML

太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。uPCDキャリアライフタイム測定によりシリコン単結晶、多結晶の汚染を非接触でモニターします。

フォトルミネッセンス PLI-101/A, PLI-103/A

フォトルミネッセンス PLI-101/A, PLI-103/A

太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。フォトルミネッセンスによりシリコン単結晶、多結晶の結晶欠陥を非接触でモニターします。

PN判定器 PN-100

PN判定器 PN-100

PN判定器 PN-100は、半導体材料を非接触/非破壊にてP/Nタイプ判定いたします。

少数キャリア・ライフタイム測定装置 WT-2000PI

少数キャリア・ライフタイム測定装置 WT-2000PI

少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。

ライフタイム&抵抗率測定装置 WT-1200i

ライフタイム&抵抗率測定装置 WT-1200i

少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。

キャリアライフタイム測定装置 WT-2010D

キャリアライフタイム測定装置 WT-2010D

少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。

μPCD キャリアライフタイム測定装置 WT-2000PVN

μPCD キャリアライフタイム測定装置 WT-2000PVN

シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。

キャリアライフタイム測定装置 WT-2000P

キャリアライフタイム測定装置 WT-2000P

シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。

バルク抵抗率測定装置 RT-110

バルク抵抗率測定装置 RT-110

シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。

比抵抗測定器 RT-1000

比抵抗測定器 RT-1000

シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。

インゴッド欠陥検査装置 PLB-55i

インゴッド欠陥検査装置 PLB-55i

PLBは、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前に内部異物を検出し対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。

インゴッド欠陥検査装置 PLB-55

インゴッド欠陥検査装置 PLB-55

PLBは、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前に内部異物を検出し対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。

薄膜膜厚・ヤング率測定装置  SW-3300

薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW-3300

サーフェスウェーブSWは、ウェハー基板上の金属薄膜の膜厚値、膜のヤング率、ポアソン比を表面弾性波測定により非接触、非破壊で測定します。半導体製造プロセスの工程で歩留まり向上に貢献しています。

弾性金属プローブCV測定 FCV-3000

弾性金属プローブCV測定 FCV-3000

CV測定/IV測定装置FCVは、USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<21A)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などの測定にご使用頂けます。

非接触CV測定装置 CV-1500

非接触CV測定装置 CV-1500

CV-1500は、非接触のCV測定装置です。300mmまでのウェハーサイズに対応し、研究開発用途でご使用いただけます。

非接触CV測定装置 FAaST 350 C-V / I-V

非接触CV測定装置 FAaST 350 C-V / I-V

FAaST350は、デュアルFOUPタイプのインライン非接触CV測定装置です。DSPVにより金属汚染測定も可能です。

非接触CV測定装置 FAaST 330/230 C-V / I-V

非接触CV測定装置 FAaST 330/230 C-V / I-V

FAaST330/230は、4~12インチ対応の全自動非接触CV測定装置です。DSPVにより、金属汚染測定も可能です。

非接触CV測定装置 FAaST 300-SL

非接触CV測定装置 FAaST 300-SL

FAaST300-SLは、4~8インチ対応の2ポートタイプ非接触CV測定装置です。DSPVにより金属汚染測定も可能です。

レーザーエリプソメーター LE-5100

レーザーエリプソメーター LE-5100

LE-5100は、レーザーエリプソメーターと反射率測定が可能な研究開発用の光学装置です。薄膜の膜厚値、光学特性の測定にご使用いただけます。

インライン分光エリプソメーター µSE-2500

インライン分光エリプソメーター µSE-2500

μSE-2500は、300mmウェハ専用の全自動分光エリプソメーターです。パターン認識機能を有し、半導体製造プロセスで成膜管理にご使用いただいています。

インライン分光エリプソメーター SE-3000

インライン分光エリプソメーター SE-3000

SE-3000は、デュアルFOUPタイプの全自動分光エリプソメーターです。半導体製造プロセスで、成膜管理にご使用いただいています。

ポロシメーター PSシリーズ

ポロシメーター PSシリーズ

光学式ポロシメーターPSシリーズは、分光エリプソメトリーの原理を利用し、非接触、非破壊で薄膜の細孔率、細孔径分布を高速・高精度に測定します。

拡がり抵抗測定装置 SRP-2100

拡がり抵抗測定装置 SRP-2100

拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。SRP-2100は、自動測定タイプの装置です。

拡がり抵抗測定装置 SRP-170

拡がり抵抗測定装置 SRP-170

拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。SRP-170は、マニュアル測定タイプの装置です。

エピ抵抗率測定装置 QCシリーズ

エピ抵抗率測定装置 QCシリーズ

QCシリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率を測定します。SPV法によりウェハー上にパルス光を照射してウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算(ASTM)します。

エアギャップ非接触CV測定装置 ACVシリーズ

エアギャップ非接触CV測定装置 ACVシリーズ

ACVシリーズは、非接触CV測定装置です。エピタキシャルの抵抗率、 ドーピング濃度、 表面電位変化、空乏層厚、プロファイル等の測定が可能です。

エピ膜厚測定装置 EIR-2500

エピ膜厚測定装置 EIR-2500

エピ膜厚測定装置EIRは、FTIRと赤外干渉の原理を用いて、エピタキシャル膜(エピ膜)の膜厚値を精度良く測定します。従来のFTIRでは測定が困難であった遷移領域の膜厚まで非接触、非破壊で測定します。炭素濃度、酸素濃度測定にもご使用頂けます。

非接触CV測定装置 FAaST 310/210 C-V / I-V

非接触CV測定装置 FAaST 310/210 C-V / I-V

FAaST 310/210は、マニュアルタイプの非接触CV測定装置です。50mm~300mmまでのウェハーの測定が可能です。

水銀CV測定装置 MCVシリーズ

水銀CV測定装置 MCVシリーズ

MCV-530は、マニュアルタイプの水銀CV測定装置です。50mm~300mmのウェハーサイズに対応しています。

全自動 水銀CV測定装置

全自動 水銀CV測定装置

MCV-2200/2500は、全自動の水銀CV測定装置です。3~12インチのウェハーの測定が可能です。

フォトルミネッセンス WT-2000 PL

フォトルミネッセンス WT-2000 PL

フォトルミネッセンス測定と反射率測定によりGaN、SiCなどのワイドギャップ半導体中の欠陥と汚染を高速・高解像度で測定する装置です。非接触測定により、LEDなどの品質検査が容易に行えます。

DLS用クライオスタット

DLS用クライオスタット

DLTS測定装置用のクライオスタットオプションです。

DLTSシステム DLS-83D

DLTSシステム DLS-83D

DLS-83Dは、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです。

高感度DLTSシステム DLS-1000

高感度DLTSシステム DLS-1000

DLS-1000は、DLS-83Dより更に高感度タイプのDLTSシステムです。

キャリアライフタイム測定装置 WT-2000 / 2A

キャリアライフタイム測定装置 WT-2000 / 2A

WT-2000 / 2Aは、キャリアライフタイム測定装置です。300mmウェハサイズまで測定可能です。

SPV装置 FAaST 350 DSPV

SPV装置 FAaST 350 DSPV

FAaST 350 DSPVは、デュアルFOUPタイプの全自動SPV装置です。非接触で、金属汚染を高精度で測定します。

SPV装置 FAaST 330/230 DSPV

SPV装置 FAaST 330/230 DSPV

FAaST 330/230 DSPVは、4~12インチウェハー対応の非接触金属汚染検査装置です。オプションの非接触CV測定ヘッドも搭載可能です。

SPV装置 FAaST 310/210 SPV

SPV装置 FAaST 310/210 SPV

FAaST 310/210 SPVは、マニュアルタイプの金属汚染検査装置です。オプションで、非接触CV測定ヘッドを搭載可能です。

ライフタイム測定装置 WT-2000MCT

ライフタイム測定装置 WT-2000MCT

WT-2000MCTは、キャリアのライフタイムの温度依存性を測定する装置です。

転位欠陥可視化装置 EnVision

転位欠陥可視化装置 EnVision

シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。フォトルミネッセンスにより、ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥を高精度で検出します。深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。

ストレス測定装置 PSIシリーズ

ストレス測定装置 PSIシリーズ

シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥やストレスを非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥、スリップラインを高精度で検出します。

非接触結晶欠陥検査装置 SIRMシリーズ

非接触結晶欠陥検査装置 SIRMシリーズ

シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、酸素、金属、堆積物、積層欠陥、スリップラインを高精度で検出します。

結晶欠陥検査装置 LSTシリーズ

結晶欠陥検査装置 LSTシリーズ

シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、酸素、金属、堆積物、積層欠陥、スリップラインを断面からの散乱工により高精度で検出します。

非破壊インプラモニター PMR-3000

非破壊インプラモニター PMR-3000

非接触・非破壊インプラモニターPMR-3000はインプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深さを非接触・非破壊で測定する装置です。

自動ライフタイム測定装置WTシリーズ

自動ライフタイム測定装置WTシリーズ

WTシリーズは、全自動で少数キャリアのライフタイム測定を行う装置です。4~12インチまでのウェハーサイズに対応し、半導体製造プロセスでご使用頂けます。

ライフタイム測定装置 WT-2000 (μPCDキャリアライフタイム)

ライフタイム測定装置 WT-2000 (μPCDキャリアライフタイム)

WT-2000は、μ-PCD法による少数キャリアのライフタイム測定装置です。ウェハーの品質管理や研究開発用途にご使用頂けます。

全自動シート抵抗測定装置 RTシリーズ

全自動シート抵抗測定装置 RTシリーズ

RTシリーズは、全自動シート抵抗測定装置です。4探針プローブと非接触Eddyヘッドの搭載が可能です。

走査型プローブ顕微鏡 DS-95

走査型プローブ顕微鏡 DS-95

走査型プローブ顕微鏡(SPM/AFM)は、半導体や金属などの微小領域の表面形状や物理量を観察する顕微鏡です。原子間力顕微鏡AFMで、高精度に物質表面の画像が取得できます。

赤外分光エリプソ SEIR-3000

赤外分光エリプソ SEIR-3000

SEIR-3000は、全自動赤外分光エリプソメーターです。半導体製造プロセスで、エピ膜厚測定、3D構造デバイス測定などの管理に最適です。

トレンチ形状検査装置 IRシリーズ

トレンチ形状検査装置 IRシリーズ

トレンチ検査装置IRシリーズは、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。ハイアスペクト比のトレンチ評価、エピ膜のドープ濃度のプロファイル測定やDLC膜厚測定も可能です。

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