製品情報
ホール効果測定装置 PDL-1000
ホール効果測定装置 PDLシステムは、ACモード・DCモードの両方のホール効果測定に対応しています。DCモードに比べて、ACフィールド測定では、キャリア移動度0.03 cm2/Vs以上の測定が可能です。
様々な材料の測定にも使用いただけます。
ナノインデンター IND-1000
ナノインデンターは、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの様々な物質の
硬度や弾性率を測定します。AFMに搭載することで、圧痕を直接観察することも可能です。
非接触移動度測定 LEI-1610シリーズ
LEI-1610シリーズでは、2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等）epi ウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が測定可能です。
非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズ
LEI-1510シリーズでは、2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等）epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗が可能です。
SEM-AFM
走査型プローブ顕微鏡（SPM/AFM）は、半導体や金属などの微小領域の表面形状や物理量を観察する顕微鏡です。原子間力顕微鏡AFMで、高精度に物質表面の画像が取得できます。SEMとAFMの組み合わせにより、更に高度な解析が可能になります。
光学式ポロシメーター SE-2000EPA
SE-2000EPAは、研究開発用の光学式ポロシメーターです。分光エリプソメトリーの原理を利用し、非接触、非破壊で薄膜の細孔率、細孔径分布を高速・高精度に測定します。
簡易分光エリプソメーター SE-1000
分光エリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性（屈折率、消衰係数）を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。
分光エリプソメーター SE-2000 （回転補償子型）
SE-2000は、研究開発用途の分光エリプソメーターです。深紫外から近赤外領域の波長範囲で、単層膜から多層膜までの膜厚測定、光学定数（屈折率、消衰係数）を精度良く測定します。
レーザーエリプソメーター LE-103PV
レーザーエリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性（屈折率、消衰係数）を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。
エミッタ―シート抵抗測定装置 SHR-1000
非接触シート抵抗測定装置です。太陽電池（単結晶、多結晶、アモルファス、有機）の研究開発でご使用頂いています。渦電流法（Eddy Current）により非接触、非破壊でITO膜などの透明導電膜のシート抵抗を高精度で測定可能です。
4探針シート抵抗測定装置 FPP-1000
4探針シート抵抗測定装置です。太陽電池（単結晶、多結晶、アモルファス、有機）の研究開発でご使用頂いています。ITO膜などの透明導電膜のシート抵抗を高精度で測定可能です。
ライフタイム測定装置 WT-1200A
少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
ライフタイム測定装置 WT-1200 & WT-1200B
少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
ライフタイム測定装置 PV-2000A
u-PCD法により非接触・非破壊でライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。電界効果パッシベーションなど、パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。
レーザーエリプソメーター SE-100IL
分光エリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性（屈折率、消衰係数）を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。
LE-100IL
レーザーエリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性（屈折率、消衰係数）を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。
エミッタ―シート抵抗測定装置 CMS, CLS
太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。渦電流法（Eddy Current）により、シリコン単結晶、多結晶のシート抵抗を非接触・非破壊でモニターします。
フォトルミネッセンス PLI-101/A, PLI-103/A
太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。フォトルミネッセンスによりシリコン単結晶、多結晶の結晶欠陥を非接触でモニターします。
少数キャリア・ライフタイム測定装置 WT-2000PI
少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
ライフタイム＆抵抗率測定装置 WT-1200i
少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
キャリアライフタイム測定装置 WT-2010D
少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
インゴッド欠陥検査装置 PLB-55i
PLBは、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前に内部異物を検出し対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。
インゴッド欠陥検査装置 PLB-55
PLBは、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前に内部異物を検出し対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。
薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW-3300
サーフェスウェーブSWは、ウェハー基板上の金属薄膜の膜厚値、膜のヤング率、ポアソン比を表面弾性波測定により非接触、非破壊で測定します。半導体製造プロセスの工程で歩留まり向上に貢献しています。
インライン分光エリプソメーター µSE-2300
μSE-2500は、300mmウェハ専用の全自動分光エリプソメーターです。パターン認識機能を有し、半導体製造プロセスで成膜管理にご使用いただいています。
インライン分光エリプソメーター μSE-3000 / SE-3000
SE-3000は、デュアルFOUPタイプの全自動分光エリプソメーターです。半導体製造プロセスで、成膜管理にご使用いただいています。
エピ抵抗率測定装置 QCシリーズ
QCシリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率を測定します。ＳＰＶ法によりウェハー上にパルス光を照射してウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。
エピ膜厚測定装置 EIR-シリーズ
エピ膜厚測定装置EIRは、FTIRと赤外干渉の原理を用いて、エピタキシャル膜（エピ膜）の膜厚値を精度良く測定します。従来のFTIRでは測定が困難であった遷移領域の膜厚まで非接触、非破壊で測定します。炭素濃度、酸素濃度測定にもご使用頂けます。
フォトルミネッセンス WT-2000 PL
フォトルミネッセンス測定と反射率測定によりGaN、SiCなどのワイドギャップ半導体中の欠陥と汚染を高速・高解像度で測定する装置です。非接触測定により、LEDなどの品質検査が容易に行えます。
転位欠陥可視化装置 EnVision
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。フォトルミネッセンスにより、ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥を高精度で検出します。深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。
ストレス測定装置 PSIシリーズ
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥やストレスを非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥、スリップラインを高精度で検出します。
非接触結晶欠陥検査装置 SIRMシリーズ
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、酸素、金属、堆積物、積層欠陥、スリップラインを高精度で検出します。
結晶欠陥検査装置 LSTシリーズ
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、酸素、金属、堆積物、積層欠陥、スリップラインを断面からの散乱工により高精度で検出します。
非破壊インプラ ダメージモニター PMR-3000
非接触・非破壊インプラモニターPMR-3000はインプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深さを非接触・非破壊で測定する装置です。
走査型プローブ顕微鏡 DS-95
走査型プローブ顕微鏡（SPM/AFM）は、半導体や金属などの微小領域の表面形状や物理量を観察する顕微鏡です。原子間力顕微鏡AFMで、高精度に物質表面の画像が取得できます。
トレンチ形状検査装置 IRシリーズ
トレンチ検査装置IRシリーズは、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。ハイアスペクト比のトレンチ評価、エピ膜のドープ濃度のプロファイル測定やDLC膜厚測定も可能です。
