エピ抵抗率測定装置 QCシリーズ

QCシリーズ

セミラボのエピタキシャルモニタリング用QCプラットフォーム(表面近傍ドーピングマッパー)は、プロセスウェハーの表面近傍のドーピングを非接触、非破壊、高スループットで確実にマッピングできる唯一のシステムです。

特徴:

  • 汎用(p型とn型の両方向け)のUV/コロナ前処理が組み込まれており、300mmまでのウェハーのUV酸化を改良・最適化。フィードバックループ制御型の正確なコロナチャージ法を用いた新機械・電子設計の新型コロナシステム。
  • ウェハー/チャックの平坦度に左右されない新センサー設計。
  • 高速ながらも完全なフルウェハーマッピング測定により、驚異的なスループットを保証し、エピタキシャルプロセスのモニタリングと管理を実現。
  • 改良版の新型ソフトウェアによる多数のメリット(たとえば、柔軟な構成が可能、マルチタスキング、リアルタイムのデータモニタリング、レシピ生成が簡単、ジョブキューイング、300mm SECS/GEMに完全準拠、など)。
  • 精密な位置決めが可能なウェハー移動ステージ
  • 他のメトロロジーでは表面感度の高さが原因で見逃される可能性のある問題を検出
  • ICの非常に重要なデバイス領域内のエピ層を評価
  • 表面近傍のキャリア・ライフタイムをウェハー汚染の指標として提示
  • 高速なフルウェハーマッピング機能(ウェハーあたり2000ポイント超、約600ポイント/分)
  • すべてのドーピングの組み合わせを測定:n/p、n/n、p/n、p/p
  • 通常使用される抵抗率範囲:
    • n型:0.03~50Ωcm
    • p型:0.03~100Ωcm
  QC-2200e QC-2500e QC-3000e
ウェハーサイズ 最大200mm

最大300mm

最大300mm
プラットフォーム 搬送全体を自動化 搬送全体を自動化 搬送全体を自動化
ロードポート FOUPロードポート×1 FOUPロードポート×1 FOUPロードポート×2

主なアプリケーション:

  • 従来のエピ、薄いエピ、埋め込み層上のエピ
  • リアクタ/レシピのインライン評価
  • エピタキシャルリアクタのインラインモニタリング
  • ウェハーメーカー向け出荷前テスト
  • ICメーカー向け受入検査
  • プロセス開発
  • ウェハー面内均一性
  • ウェハー間均一性
  • ドーピング過剰/不足による影響
  • エピタキシャルリアクタの変化:
    • 温度変化
    • ガスフロー動力学
    • 圧力変化

 

      

 

         

 

装置: 測定パラメータ: 測定可能なウェハーの型:
  • 青色ライトヘッド
  • UV前処理室
  • コロナチャージ
  • シングルまたはデュアルロードポート、SECS/GEM
  • FOUPまたはOCを含めた構成が可能
  • 空乏層幅 - Wd
  • 抵抗率 - ρ
  • ドーピング濃度 - NSC
  • 表面再結合ライフタイム - τs
  • 導電型 - p/n
  • 従来のCMOSエピ
  • 薄いエピ
  • 埋め込み層上のエピ

 

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