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MBD-2300は、次世代パワー半導体として注目されるSi(シリコン)やSiC（炭化ケイ素）トレンチ形状および薄膜の特性評価に特化した、最新のインライン計測装置です
光変調反射率技術により、SiC・Siウェーハのイオン注入量やドーズ量を非破壊でモニタリングする装置です。
非接触・非破壊にて様々なウェーハ（SiC, Si, 他）のエッジ形状等の高精度な測定が可能です。
LEI-2000Mは、最小２インチ～最大８インチ径のウェーハに対応し、【非接触・非破壊】で移動度・キャリア濃度・シート抵抗の面内分布を測定し、最大200mmのサンプルに対応します。
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