非接触移動度・シート抵抗特性評価システム LEI-2000M

移動度・シート抵抗・キャリア密度を非接触かつハイスループットに一括測定。
コンパクトな設置面積と優れたコストパフォーマンスで研究開発（R&D）を加速する、新プラットフォーム。

主な特長

移動度・シート抵抗・キャリア密度の非接触・非破壊一括評価

LEI-2000M（およびシート抵抗専用モデルのLIE-2000RS）は、化合物半導体デバイスの性能を左右する「移動度（Mobility）」「シート抵抗（Sheet Resistance）」「電荷キャリア密度（Carrier Density）」を、サンプルに傷をつけることなく完全な非接触・非破壊で精密に測定・評価できるシステムです。

R&D環境に最適なコンパクト設計＆高コストパフォーマンス

これまでの大型装置とは一線を画し、手頃な導入価格と、限られたラボスペースにも無理なく設置できるコンパクトな設置面積（スモール・フットプリント）を実現。
持続可能性と高い計測パフォーマンスを両立させ、大学、研究機関、企業のR&D部門に最適な選択肢を提供します。

高スループットなデータ収集と優れた長期再現性

• 迅速な測定プロセス：
  手動でのウェハロードから、半径9ポイント測定、アンロードまでの一連の流れをスムーズに行い、研究開発に必要なデータをハイスループットに収集します。
• 高い再現性（Repeatability）：
  プロセスの最適化に十分な極めて高い測定精度と信頼性を誇ります。

実績あるSemilab技術との統合

半導体特性評価で世界をリードするSemilabグループのネットワークと、長年培われたLehightonブランドの信頼性が融合。
ユーザーフレンドリーな操作性と、導入後の確かなグローバルサポートにより、安心して長期間運用いただけます。

アプリケーション

LEI-2000Mは、主に化合物半導体材料を用いた次世代デバイスの開発・プロセス最適化に威力を発揮します。
デバイスの動作速度や効率に直結する電気的特性（マジョリティキャリア特性）の均一性を迅速に把握するための、研究開発向けキラーアプリケーションです。

主な市場・分野

• 次世代通信（RF・マイクロ波）デバイス開発：
  5G/6G向け高速通信素子の材料特性評価
• パワーエレクトロニクス研究：
  高効率パワー半導体（SiC、GaN等）の結晶成長・エピタキシャル層の品質評価
• 光電導・フォトニクス分野：
  各種センサー、光学素子向け薄膜の電気的特性評価
• 最先端材料の基礎研究（R&D）：
  新規化合物半導体やヘロト構造の電気伝導メカニズム解析

対応材料・構造（例）

• GaAs（ガリウムヒ素）、InP（インジウムリン） などの化合物半導体エピウェハ
• GaN（窒化ガリウム）、SiC（シリコンカーバイド） などのワイドバンドギャップ半導体
• HEMT（高電子移動度トランジスタ）構造 などの多層デバイス材料の特性評価
• その他、導電特性やキャリア輸送特性の評価が必要な各種薄膜・基板

主な仕様

プロセス最適化と研究の加速に貢献する、確かなメトロロジー仕様を提供します。