FAaLEI-1510EB-RP, LEI-1510EC-RP, LEI-1510EB-RS, LEI-1510EC-RS,LEI-1510EB, LEI-1510EC
2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗測定します。
旧リハイトン社（Lehighton Electronics, Inc.）の装置です。
特徴とシステム仕様：
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- ・4探針方式で起こり得る接触汚染や具合による再現性問題を解決。
- ・ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。
- ・0.035 ～3200 ohm／sq.という広い範囲で優れた測定直線性。
- ・計測データを三次元グラフィックマップとしてＰＣ モニター上で確認可能。
測定対象：
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・GaAs 、GaN （サファイア基板）等の化合物半導体
（epi、熱拡散又はイオン注入によりドープした半絶縁ウエハ）。 -
・バルクSi 、エピ、熱拡散、イオン注入、
PoCl3等による高抵抗基板のドーピング均一性 - ・薄膜メタライゼーション
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その他の機能：
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- ・最大300 点まで計測可能
- ・自動ドリフト補正
- ・ソフトウェアで抵抗の測定範囲を選択可能
- ・カセットTo カセット式ソーティング
- ・外部膜厚入力
- ・ウェーハマッピング（2 次元等高線、3 次元グラフィック）
- ・SPC （Statistical Process Control ）統計管理ソフト
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