エピ膜厚測定

CVDプロセスでシリコンのブランケット層をシリコン基板に追加することで抵抗率・N型P型の結晶欠陥密度など、物理特性を変化させることができます。

このCVDプロセスはエピ（Epi、またはエピタキシャル）成膜と呼ばれます。

エピ層の厚さのモニタリングは、エピウェハー製造プロセスの一環として行われています。

モニタリングは、サンプルベースで行われますが、エピタキシャルリアクタが正しく設定されていることを確認するためのみ行われることもあります。

セミラボでは、赤外反射法などの検査装置により、エピ膜厚モニタリングの非接触光学ソリューションをご提供しています。

テクノロジー

FTIR反射率測定装置（EIR）

セミラボのFTIR反射法は、

干渉波形（インターフェログラム）減算法を適用可能であると同時に、高度で多用途のSEA分析ソフトウェアを用いた光学解析モデルベースのアプローチも選択可能です。

解析モベルベースのアプローチは、エピ層の厚さを考慮に入れるだけでなく、膜質評価として有効である屈折率の判定も可能になります。