特長
次世代ファブの自動化と高精度計測を両立
EIR-3000は、300mmウェーハをメインとする最先端の半導体製造ライン向けに設計された、シリーズ最高峰のフルオートマチックFTIR計測装置です。高いスループットと卓越した安定性を備え、微細化が進むプロセスの品質管理を強力に支援します。
- 300mm/200mmブリッジ対応：
1台のプラットフォームで300mm（12インチ）と200mm（8インチ）の両サイズに対応。既存ラインからの移行や、多様な製品ミックスを持つファブに柔軟な運用環境を提供します。 - FOUP/自動搬送への完全統合：
300mmライン標準のFOUPに対応。デュアルアームロボットを搭載した高性能EFEMにより、ウェーハの高速・クリーンな搬送を実現し、生産効率を最大化します。 - 高精度なエピタキシャル層解析：
Si（シリコン）はもちろん、SiC（炭化ケイ素）やGaNなどの次世代材料においても、多層構造やバッファ層の厚さをナノメートルオーダーで非破壊測定します。 - 第2世代光学系による機差最小化：
最新の「第2世代計測ヘッド」を搭載。装置間のデータマッチング性能を極限まで高めており、グローバル展開する複数拠点間でのシームレスな品質管理を可能にします。
技術仕様
フラッグシップモデルの性能
EIR-3000は、最高レベルの自動化規格と計測精度を兼ね備えています。
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 測定方式 | フーリエ変換赤外分光法（FTIR） |
| 対応ウェーハサイズ | 200mm, 300mm（Bridgeシステム対応） |
| 搬送システム | フルオート（300mm対応EFEM / デュアルアームロボット） |
| ロードポート | FOUP対応（最大3ポート構成可能） |
| スループット | 業界最高水準の処理能力（フルオート運用） |
| 再現性 | エピ厚測定：0.002μm (1σ) 以下 |
| インターフェース | SECS/GEM通信、OHT/AGV自動搬送完全対応 |
アプリケーション
広範なプロセスモニタリング
研究開発から量産まで、FTIRならではの多角的な分析を提供します。
- 先端エピタキシャル層計測：
Si, SiC, SOI, SiGe, III-V系化合物半導体などの厚さ、および遷移領域の精密解析。 - 不純物濃度分析（オプション）：
高感度透過率測定により、300mmバルクシリコン中の酸素（Oi）や炭素（Cs）を高精度に定量。 - 層間絶縁膜（ILD）の特性評価：
BPSG、PSG、FSG等の組成分析、SiN膜中の水素濃度（Si-H/N-H）管理。 - 低抵抗・高ドープ層の解析：
独自の光学モデリングにより、従来の測定法では困難だった高濃度ドーパントプロファイルの評価をサポート。
