SRP-2100
この自動装置を利用して、デバイス加工中のあらゆる半導体構造の全体的なキャリア密度や抵抗率プロファイルをお調べください。測定範囲は、最先端アプリケーションのニーズをカバーしています。
測定されるパラメータ：
- ドーパント濃度、抵抗率
- キャリア、抵抗率、ドーパント形状
- ジャンクション深さ
- 転移幅
- プロファイル形状
- シート抵抗
- 酸化物厚さ
- 電気的に活性なドーズ量
- 密度ピーク
- GaAsおよび他の化合物半導体、AlGaN/GaN HEMT構造、SiC
特徴：
- 測定室に振動保護、遮音性能、電気シールドを装備
- 4軸ステージ（各軸に圧電モーターとエンコーダーが付属）
- 拡がり抵抗測定範囲（Ω）：1～1010
- 抵抗率範囲（Ωcm）：10-4～＞4×104（オプションの高ρ校正サンプルあり）
- 顕微鏡：5×、10×、20×、50×（オプションで100×）、ノマルスキー
- 照明器（寿命）：LED（約30,000時間）
- プローブの調整プロセスをマシンビジョンソフトウェアで改良
- SEMI規格準拠の直感的インターフェイス、リモート操作オプション、タッチスクリーン、トラックボール、3Dジョイスティック
- Windows 7ベースの使いやすいソフトウェア：SAM
- 高分解能で重複のない測定
オプション：
- ベベル角度測定（BAM）：レーザーセンサーにより、サンプルの実際のベベル角度の高精度測定が可能であり、正確な深さ方向プロファイリングを実現。
- 浅層測定（SLM）：SRP法を150nmより薄い層にも拡張。最新の手法での実用下限は、SIMSによる検証では約25nm。
- 可変プローブ間隔（VPS）：電動プローブの間隔移動により、絶縁薄膜のシート抵抗を測定可能。
- PCIVオプションで幅広いバンドギャップ半導体に対応：可変測定バイアスと電流-電圧曲線分析を組み合わせて、新半導体材料の拡がり抵抗プロファイルを測定。
- 信号タワー：業界標準の信号タワーがシステムの状態を通知。
- 独立型のベベルサンプル研磨装置。
