高感度DLTSシステム DLS-1000

DLS-1000

DLTSシステムは、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです。半導体における深い準位(トラップ)を測定することで、容量の過渡応答を利用して禁制帯中のエネルギーと捕獲断面積が分かります。

DLS-1000は、改良された高感度のシステムであり、先行モデル「DLS-83D」の8倍の感度を誇ります。

全自動測定モードを搭載しており、測定されたデータの不純物特定や濃度判定などの幅広い解析をユーザーの介入なしに行えます。

Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS)は、半導体材料や完成デバイスに意図的または意図せずに導入された不純物や欠陥によって生じる深い準位のモニタリングと特性評価に最適な技術です。

特徴とシステム仕様:

  • 汚染の痕跡量レベルの検出における最高の感度(2×108 atoms/cm3
  • 幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備
  • 広範な測定モード:
    • 温度スキャン
    • 周波数スキャン
    • 深さ方向プロファイリング
    • CV特性評価
    • 捕獲断面積測定
    • オプティカルインジェクション
    • コンダクタンス過渡測定
  • デジタル&アナログ設定での制御により、操作が非常に簡単
  • IV、CVによるサンプル品質試験
  • 豊富なソフトウェアによる完全なコンピュータ制御、包括的なライブラリデータベースによる正確な汚染特定
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