汚染分析

セミラボでは、半導体サンプルを分析する幅広いソリューションをご用意しています。これらの全ソリューションの目的は、半導体デバイスに関する情報をできる限り多く提供し、サンプルの挙動と特性の原因や、使用したプロセスによる影響を理解できるようにすることです。

セミラボのDLS-1000の最新式のDeep Level Transient Spectroscopy（DLTS）の使用により、半導体中の電気的に活性な不純物の定性・定量分析を実行できます（ただし、これは破壊的手法です）。DLTSでは、不純物と断面積捕獲の活性化エネルギーに関する情報を提供します。また、ドーピング濃度に応じて、濃度が2×10⁸ atoms/cm³までの不純物も検出できます。

図1.汚染（コンタミネーション）分析

テクノロジー

DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) とは

Deep Level Transient Spectroscopy（DLTS）は、汚染（コンタミネーション）や結晶欠陥による半導体中の電気的に活性な欠陥（「トラップ」）の検出と特定を行う強力な技術です。この技術は、深いトラップに関連するエネルギーレベル、捕獲断面積、濃度分布などのあらゆるパラメータを決定するための非常に汎用的な方法です。不純物の特定が可能であり、濃度が2×10⁸ atoms/cm³以下の汚染を検出できます。

DLTSは、ショットキーダイオードまたはPN接合と小型サンプル（通常は完成ウェハーから切断されたもの）との成形を必要とするため、破壊的手法です。

セミラボのDLTSシステムは、DLS-83DまたはDLS-1000と、セミラボが提供する4種のクライオスタットのいずれかで構成されます。

Deep Level Transient Spectroscopy（DLTS） - PV

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キャリア・ライフタイム（µ-PCD、QSS-µPCD）

マイクロ波検出フォトコンダクタンス減衰（µ-PCD）法によるキャリア・ライフタイム測定は、ウェハー製造や太陽電池製造におけるウェハー検査、品質管理、プロセスモニタリングに役立つ技術です。マイクロ波誘導フォトコンダクタンス減衰法は、シリコンの少数キャリア・ライフタイムを測定する最も一般的な方法です。この方法は高い信頼性と再現性を誇り、短い測定時間で高分解能のライフタイムマップが作成できます。

汚染物質の頻発とそのライフタイムにより、効率が損なわれます。