金属汚染分析

セミラボでは、半導体サンプルを分析する幅広いソリューションをご用意しています。これらの全ソリューションの目的は、被検体に関する情報をできる限り多く提供し、サンプルの挙動と特性の原因や、使用したプロセスによる影響を理解できるようにすることです。

セミラボのDLS-1000の最新式のDeep Level Transient Spectroscopy(DLTS)設定を使うと、半導体中の電気的に活性な不純物の定性・定量分析を実行できます(ただし、これは破壊的手法です)。この測定手法では、不純物と断面積捕獲の活性化エネルギーに関する情報を提供します。また、ドーピング濃度に応じて、濃度が2×108 atoms/cm3までの不純物も検出できます。

図1.汚染(コンタミネーション)分析図1.汚染(コンタミネーション)分析

テクノロジー

Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS)

Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS)は、汚染(コンタミネーション)や結晶欠陥による半導体中の電気的に活性な欠陥(「トラップ」)の検出と特定を行う強力な技術です。この技術は、深いトラップに関連するエネルギーレベル、捕獲断面積、濃度分布などのあらゆるパラメータを決定するための非常に汎用的な方法です。不純物の特定が可能であり、濃度が2×108 atoms/cm3以下の汚染を検出できます。

DLTSは、ショットキーダイオードまたはPN接合と小型サンプル(通常は完成ウェハーから切断されたもの)との成形を必要とするため、破壊的手法です。

セミラボのDLTSシステムは、DLS-83DまたはDLS-1000と、セミラボが提供する4種のクライオスタットのいずれかで構成されます。

Deep Level Transient Spectroscopy(DLTS) - PV

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