ラボ用アプリケーション

製造プロセスのトラブルシューティングでは、様々な工程段階でウェハーをより包括的に分析する必要があります。こうしたテストは通常、インラインやオフラインのプロセス管理装置の範囲外になります。このニーズを満たすために、セミラボでは、多数の機能を持つ最新式の検査装置をご提供しています。

こうした高度なメトロロジー装置を研究開発分野で効果的に利用すると、新しい方法や手法を導入して太陽電池製造の効率を高めることができます。

セミラボは、お客様と協力して、装置の性能を向上し、新たなアプリケーションを導入してメトロロジーの将来のニーズを満たしてまいります。

当社の測定装置は、高性能、簡単な操作、低コストを実現するよう設計されています。

アプリケーションの例は以下のとおりです。

・ウェハー汚染（コンタミネーション）特性評価
・ウェハーの分析的汚染検出
・異なる製造段階における電気パラメータの測定
・成膜層パラメータの光学特性評価
・成膜誘電層パラメータの電気特性評価
・表面パッシベーションの効率と均一性の測定
・太陽電池の加速光誘起劣化（LID）・電圧誘起劣化（PID）のテスト

テクノロジー

分光エリプソメトリー

エリプソメトリーは絶対的な光学的測定法であり、媒質を通過中の光偏光の変化を測定します。
偏光の位相は、反射中の層構造が原因により歪みを呈するため、構造内の媒質材料特性の抽出が可能になります。

偏光の歪みは、複数の光学コンポーネントが光偏光を変調する複数の方法で特定できます。

セミラボでは、
最も進んだ回転補償子を採用しており、ハイエンドの広帯域補償子が回転角に応じて異なる位相転移を生じさせ、
エリプソメトリーパラメータを分光的に特定できます。

エリプソメトリーは間接的なメトロロジーであるため、
厚さ・屈折率の値を抽出するには、実際にある構造のモデリングとパラメータフィッティングが必要です。

セミラボの分光エリプソメトリーアナライザー（SEA）ソフトウェアは、
実際にある構造モデルを構築するための幅広い手法やモデルパラメータをフィッティングにかけ、
目的の値を取得するための強力なアルゴリズムを装備しています。

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Deep Level Transient Spectroscopy（DLTS）

Deep Level Transient Spectroscopy（DLTS）は、汚染（コンタミネーション）や結晶欠陥による半導体中の電気的に活性な欠陥（「トラップ」）の検出と特定を行う強力な技術です。この技術は、深いトラップに関連するエネルギーレベル、捕獲断面積、濃度分布などのあらゆるパラメータを決定するための非常に汎用的な方法です。不純物の特定が可能であり、濃度が2×10⁸ atoms/cm³以下の汚染を検出できます。

DLTSは、ショットキーダイオードまたはPN接合と小型サンプル（通常は完成ウェハーから切断されたもの）との成形を必要とするため、破壊的手法です。

セミラボのDLTSシステムは、DLS-83DまたはDLS-1000と、セミラボが提供する4種のクライオスタットのいずれかで構成されます。

Deep Level Transient Spectroscopy（DLTS） - PV

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キャリア・ライフタイム（µ-PCD、QSS-µPCD）

マイクロ波検出フォトコンダクタンス減衰（µ-PCD）法によるキャリア・ライフタイム測定は、ウェハー製造や太陽電池製造における入りウェハー検査、品質管理、プロセスモニタリングに役立つ技術です。マイクロ波誘導フォトコンダクタンス減衰法は、シリコンの少数キャリア・ライフタイムを測定する最も一般的な方法です。この方法は高い信頼性と再現性を誇り、短い測定時間で高分解能のライフタイムマップも作成できます。

汚染物質の頻発とそのライフタイムにより、効率が損なわれます。