非接触CVプロファイリング

PV製品シリーズで用いられている非接触CV法は、シリコンの誘電体・界面のモニタリングを行うIC製造ラインで幅広く使用されているコロナ電圧メトロロジーを適応したものです。この手法では、PVアプリケーションで誘電体のパッシベーション品質に影響を与える電気パラメータを、準備なしで高速に測定できます。

シリコン太陽電池アプリケーションでは、誘電体フィルムを次の2つの理由で使用します。

  • エミッター/誘電体界面をパッシベートするため(つまり、界面の再結合速度を遅くするため)
  • 反射防止膜として

この結果、誘電体全体には、異なる膜が含まれることがあります。たとえば、界面をパッシベートする薄いSiO2膜と、これより厚く、反射率を下げるシリコン窒化膜などです。

界面トラップ密度スペクトルと電界効果パッシベーションに対するSeff反応のモニタリング 界面トラップ密度スペクトルと電界効果パッシベーションに対するSeff反応のモニタリング

非接触コロナ-ケルビン法

非接触コロナ-ケルビン法では、空気中のコロナディスチャージ使って電荷を半導体ウェハーに与えます。ウェハー反応が振動キャパシタプローブ(通常はケルビンプローブ)でモニターされ、このプローブが表面電圧(Vcpd)を測定します。暗期と強照射の両方で表面電圧をモニタリングすることで、次の2つの重要な電圧成分を分離できます。

  • 誘電圧(VD
  • 半導体表面電位(Vsb

得られた電荷-電圧データの分析により、Dit、Vfb、Qtot (誘電体電荷)、CD、EOT、誘電体リークなどの電気パラメータが提供されます。

特徴

  • 非接触の電気的なCV・IVメトロロジーにより、IC製造や研究開発環境で誘電体と界面の特性評価を比類のない正確さ・精密さで実現
  • モニターウェハーの測定にマクロ構成で使用可能
  • ケルビンフォース顕微鏡(KFM)を用いた独自のミクロ構成オプションにより、スクライブラインテスト部位と製品用ウェハーの活性デバイス領域でCVとIVの特性を測定
  • 時間分解電圧測定により、ナノメートル以下の誘電体で、誘電体リークの特定と、対応するリーク補正された真のCV曲線の測定が可能
  • 誘電体キャパシタンス抽出用の独自CVシミュレータが、非常に高い界面トラップ密度が存在する中で動作
  • 最先端の超薄誘電体、高k誘電体、層間誘電体へのアプリケーションが実証済み
  • エンドオブラインデバイスデータとの優れた相関
  • 製造環境間での有効性が実証されている装置マッチング
製品ラインナップ
PV-2000A

PV

 

世界で最も強力なPVメトロロジーシステムであり、比類のないマッピング、精密さ、再現性、装置マッチングを実現します。

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