非接触CVプロファイリング

PV製品シリーズで用いられている非接触CV法は、シリコンの誘電体・界面のモニタリングを行うIC製造ラインで幅広く使用されているコロナ電圧メトロロジーを適応したものです。この手法では、PVアプリケーションで誘電体のパッシベーション品質に影響を与える電気パラメータを、準備なしで高速に測定できます。

シリコン太陽電池アプリケーションでは、誘電体フィルムを次の2つの理由で使用します。

エミッター/誘電体界面をパッシベートするため（つまり、界面の再結合速度を遅くするため）
反射防止膜として

この結果、誘電体全体には、異なる膜が含まれることがあります。たとえば、界面をパッシベートする薄いSiO₂膜と、これより厚く、反射率を下げるシリコン窒化膜などです。

非接触コロナ-ケルビン法では、空気中のコロナディスチャージ使って電荷を半導体ウェハーに与えます。ウェハー反応が振動キャパシタプローブ（通常はケルビンプローブ）でモニターされ、このプローブが表面電圧（V_cpd）を測定します。暗期と強照射の両方で表面電圧をモニタリングすることで、次の2つの重要な電圧成分を分離できます。