製品概要
En-Visionは、フォトルミネッセンス（PL）技術を活用し、シリコンウェーハの表面から深部に至るまでの結晶欠陥を非破壊・非接触で高精度に検出するインライン検査ソリューションです。
従来の破壊的なエッチング法や時間のかかる電子顕微鏡（TEM）観察に代わる、量産（HVM）対応の革新的なツールです 。
主な特長
- 非破壊・非接触での高速検査: サンプルを損傷させることなく、表面から深部（バルク）までの様々な電気欠陥をリアルタイムで検出可能です 。
- 高スループット量産対応: プロセス内でのインライン検査に最適化されており、従来のオフライン手法（Seccoエッチング等）と比較して大幅な時間短縮とコスト削減を実現します 。
- 深部欠陥の3D可視化: 1µm以下の深度分解能で深度スキャンが可能であり、個々の欠陥の垂直方向の位置を特定し、3Dでの分布を解析できます 。
- 多様な欠陥の分類と報告: 点欠陥、積層欠陥、転位、スリップ、BMD（バルク微小欠陥）などを自動で分類し、詳細なレポートを生成します 。
- 主要プロセスへの最適化: エピタキシャル成長（EPI）、イオン注入（IMP）、深溝分離（DTI）などの各工程におけるプロセスモニタリングと最適化に活用できます 。
主な仕様
| 項目 | 詳細仕様 |
|---|---|
| 測定原理 | フォトルミネッセンス（PL）イメージング |
| 光源 | 緑色レーザー（532 nm） |
| 検出カメラ | 2D 赤外線（IR）カメラ |
| 検出可能最小欠陥サイズ | 約20 nm |
| 対応抵抗率範囲 | >20 mOhmcm |
| 対物レンズ構成 | M100x, M50x, M20x, M5x |
| 画像スケール | 0.28 ～ 5.6 µm/ピクセル（レンズに依存） |
| マクロPLスループット | 約15 WPH（300 mmウェーハ、全面スキャン時） |
| マイクロPLスループット | 例：5点測定で 30 WPH |
オプション
お客様の生産環境やサンプル形状に合わせて、以下のプラットフォームから選択可能です。
- En-Vision 3000 / 3000 Crystal: 8インチおよび12インチウェーハに対応した全自動量産モデル 。
- En-Vision 2200: 6インチおよび8インチウェーハに対応。自動搬送に加え、Taikoウェーハなどの特殊ハンドリングにも対応可能です 。
- En-Vision 2100: 最大3 x 8 cmの部品や小片サンプルに対応したマニュアル操作モデル 。
- 解析用光学フィルター: 欠陥バンド（1300/1400 nm）、バンド間（1000-1300 nm）、カラーフィルター、偏光フィルターなど、測定目的に応じたカスタマイズが可能です 。
- アプリケーション別解析モジュール: BMD解析、DZ算出、OiSF（酸化誘起積層欠陥）リング検出など、特定の欠陥に対する専用の解析アルゴリズムを組み込むことができます 。
