転位欠陥可視化装置 EnVision

結晶欠陥可視化装置EnVisionでは、15nmレベルの転位欠陥を可視化可能な非破壊・非接触の半導体検査装置です。これまでプロセスエンジニアの経験と勘に頼っていたプロセス作業を、転位欠陥の可視化により定量的にプロセスの最適化が実現できます。表面近傍では確認ができない深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。

EnVisonは、FEOL(Front End of Line)におけるプロセス起因の結晶欠陥の早期検出や、新製品開発時間の短縮に不可欠な装置であり、ケミカルエッチングやX-TEMの代わりとしてご使用頂けます。

転位欠陥検査装置En-Visonの特徴とシステム仕様

• 検査範囲：
  • 製品ウェハー
    • 測定ボックス
    • デバイス内
  • ブランケットウェハー/モニターウェハー
• 検出可能な結晶欠陥：埋め込み拡張欠陥（転位欠陥、酸素析出物、COP、積層欠陥など）
• 5sec/siteで転位欠陥の面内分布を可視化
• 深さ方向の転位欠陥の位置も特定可能（DTIの深さ方向ダメージの検証にも有効）
• 検出限界：＜15nm
• データ取得：
  • 画像セグメンテーション（測定ボックスとデバイス領域）
  • ダイ間検査
  • 画像連結（FOVの拡大）
• データ分析：
  • 統計ツール
  • 欠陥分類
  • バッチ/ロット再処理
• データ出力：SECS GEM、KLARF、エクスポート