シリコン基板ストレス測定装置PSI-2100、PSI-2500、PSI-3000
PSI製品シリーズは、生産能力が大きい自動製造工場向けに、Siウェハー/小片の機械的応力（ストレス）に
関連する双晶欠陥などの結晶欠陥の検査と可視化を行うために特別に開発されました。半導体ウェハーのストレス測定にご使用頂いています。
特徴とシステム仕様：
- SEMI®規格（E95-0200）準拠のSAM2™（Semilab Automation Manager 2）ユーザーインターフェイス
- 300mmウェハー用高精度ロボット（エッジグリップまたは裏面接触を選択可能なエンドエフェクタ付き）
- オプション：表面の両面のパーティクル検出
- 解像度：50µm
- 応力場感度：＞5kPa
- 抵抗率範囲：＞5mΩcm
| PSI-2100 | PSI-2500 | PSI-3000 | |
|---|---|---|---|
| ウェハーサイズ | 50mm～300mmウェハー（最大直径315mm） これより小型のサンプルや、矩形または不規則形状のサンプルの測定も可能（特殊形状アダプターが必要な場合もあります） |
150mm/200mm/300mm | 150mm/200mm/300mm |
| ローディング | 手動 | 選択した1サンプルサイズに対しては自動 1つまたは2つの追加直径に対しては手動 |
選択した1サンプルサイズに対しては自動 1つまたは2つの追加直径に対しては手動 |
| プラットフォーム | 手動 | FOUPロードポート×1、SECS/GEM | FOUPロードポート×2、SECS/GEM & OHT |
アプリケーション
- as-grown Siウェハーや、ウェハー状態になる前のSi小片における、応力場に関連する結晶欠陥の検出
- 欠陥の種類：
- 局部転位
- スリップライン
- 双晶欠陥
- 二重線
- エピ（Epi）プロセスで生じたエッジ欠陥
