非接触・非破壊にて様々な表面状態を持つウェーハ形状、ストレスを測定可能です。
特徴：
- スライス、ラッピング、エッチング等、表面状態に依存しない
- 複数の測定項目を同時に測定可能
<測定項目>
Thickness measurement
Total Thickness Variation (TTV) monitoring
Bow/Warp measurement
Flatness calculation - 膜応力測定（ストレス測定）
Sample measurement showing wafer shape
User defined scan patterns are used to generate contour map, 2D and 3D wafer images.
