製品情報
CV・抵抗測定 ソリューション
水銀CV測定装置
MCVシリーズ
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MCV-2200/2500は、全自動の水銀CV測定装置です。3～12インチのウェハーの測定が可能です。
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MCV-530は、マニュアルタイプの水銀CV測定装置です。50mm～300mmのウェハーサイズに対応しています。
非接触・非破壊 エピ層抵抗測定装置
QCシリーズ
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QCシリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率を測定します。ＳＰＶ法によりウェハー上にパルス光を照射してウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。
エアギャップ非接触CV測定装置
ACVシリーズ
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ACVシリーズは、非接触CV測定装置です。エピタキシャルの抵抗率、 ドーピング濃度、 表面電位変化、空乏層厚、プロファイル等の測定が可能です。
4探針シート抵抗測定装置
RTシリーズ
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シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。
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シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。
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RTシリーズは、全自動シート抵抗測定装置です。4探針プローブと非接触Eddyヘッドの搭載が可能です。
非接触シート抵抗測定装置（渦電流式/マイクロ波）
LEIシリーズ
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LEI-2000Mは、最小２インチ～最大８インチ径のウェーハに対応し、【非接触・非破壊】で移動度・キャリア濃度・シート抵抗の面内分布を測定し、最大200mmのサンプルに対応します。
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非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズ
LEI-1510シリーズでは、2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等）epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗が可能です。
拡がり抵抗測定装置
SRPシリーズ
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拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ測定装置です。SRP-170は、マニュアル測定タイプの装置です。
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拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ測定装置です。SRP-2100は、自動測定タイプの装置です。
Si向けPN判定
PNシリーズ
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PN判定器 PN-100は、半導体材料を非接触/非破壊にてP/Nタイプ判定いたします。
膜厚・膜質ソリューション
分光エリプソメーター
SEシリーズ
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分光エリプソメーターは、薄膜の膜厚値、光学特性（屈折率、消衰係数）を高精度に測定します。絶縁膜、有機膜、金属膜などの単層膜や多層膜の測定が出来、また表面ラフネス層や界面層の評価も可能です。エリプソメトリーの測定原理が不明な方でも問題なくご使用頂けます。
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SE-2000は、研究開発用途の分光エリプソメーターです。深紫外から近赤外領域の波長範囲で、単層膜から多層膜までの膜厚測定、光学定数（屈折率、消衰係数）を精度良く測定します。
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SE-2000EPAは、研究開発用の光学式ポロシメーターです。分光エリプソメトリーの原理を利用し、非接触、非破壊で薄膜の細孔率、細孔径分布を高速・高精度に測定します。
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SE-2100は、ラボ用装置であるSE-2000に安全カバーと高スピードサンプルステージを加えた研究開発用の分光エリプソメーターです。
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μSE-2500は、300mmウェハ専用の全自動分光エリプソメーターです。パターン認識機能を有し、半導体製造プロセスで成膜管理にご使用いただいています。
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SE-3000は、デュアルFOUPタイプの全自動分光エリプソメーターです。半導体製造プロセスで、成膜管理検査にご使用いただいています。
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inSE-1000は、in situでご使用頂ける分光エリプソメーターです。成膜装置などに組み込んでご使用いただけます。
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IRSEは、赤外領域に対応した分光エリプソメーターです。FTIRによりエピ膜厚測定や赤外領域での光学特性（屈折率、消衰係数）の測定が可能です。
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R2R SEは、ロールツーロール工程用の分光エリプソメーターです。単層膜から多層膜までの膜厚測定と光学特性（屈折率、消衰係数）の測定が可能です。
エピ膜厚FTIR
EIRシリーズ
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エピ膜厚測定装置EIRは、FTIRと赤外干渉の原理を用いて、エピタキシャル膜（エピ膜）の膜厚値を精度良く測定します。従来のFTIRでは測定が困難であった遷移領域の膜厚まで非接触、非破壊で測定します。炭素濃度、酸素濃度測定にもご使用頂けます。
誘電体細孔率測定
PSシリーズ
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光学式ポロシメーターPSシリーズは、分光エリプソメトリーの原理を利用し、非接触、非破壊で薄膜の細孔率、細孔径分布を高速・高精度に測定します。
汚染・欠陥評価ソリューション
キャリアライフタイム測定装置
WTシリーズ
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少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
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少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
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少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
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ライフタイム測定装置 WT-2000 (μPCDキャリアライフタイム）
WT-2000は、μ-PCD法による少数キャリアのライフタイム測定装置です。ウェハーの品質管理や研究開発用途にご使用頂けます。
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WT-2000 / 2Aは、キャリアライフタイム測定装置です。300mmウェハサイズまで測定可能です。
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WT-2000MCTは、キャリアのライフタイムの温度依存性を測定する装置です。
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シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。
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少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
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μPCD キャリアライフタイム測定装置 WT-2000PVN
シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。
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WTシリーズは、全自動で少数キャリアのライフタイム測定を行う装置です。4～12インチまでのウェハーサイズに対応し、半導体製造プロセスでご使用頂けます。
インプラ・ドーズモニター
PMRシリーズ
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MR(Photo Modulated Reflectivity Measurement)は、アニール前のイオン注入のドーズ量モニターを可能とする技術です。非接触・非破壊にてインプラ工程のインライン管理を可能とします。
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非接触・非破壊インプラモニターPMR-3000はインプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深さを非接触・非破壊で測定する装置です。
転位欠陥可視化装置
En-Vision
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シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。フォトルミネッセンスにより、ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥を高精度で検出します。深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。
非破壊式BMD検査装置
LSMシリーズ
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非接触・非破壊の光散乱法にてバルク微小欠陥（BMD）検出します。サンプルを劈開する必要がなく、ウェーハ全体を測定します。
ストレス検査装置
PSIシリーズ
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シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥やストレスを非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥、スリップラインを高精度で検出します。
欠陥検査装置
PLBシリーズ
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PLBは、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前に内部異物を検出し対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。
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PLBは、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前に内部異物を検出し対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。
原子間力顕微鏡
AFMシリーズ
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走査型プローブ顕微鏡（SPM/AFM）は、半導体や金属などの微小領域の表面形状や物理量を観察する顕微鏡です。原子間力顕微鏡AFMで、高精度に物質表面の画像が取得できます。SEMとAFMの組み合わせにより、更に高度な解析が可能になります。
化合物半導体ソリューション
元素の定量分析
DLSシリーズ
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DLTS測定装置用のクライオスタットオプションです。
高抵抗・半絶縁材料向け測定器
COREMA
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シリコン・化合物半導体の抵抗率測定が可能です。 非接触のため電極形成が不要で、量産製品を容易に測定して頂けます。
ウェーハ形状測定装置
WGシリーズ
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非接触・非破壊にて様々な表面状態を持つウェーハ形状、ストレスを測定可能です。
非接触自動エッジ形状測定装置
E-Shape
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非接触・非破壊にて様々なウェーハ（SiC, Si, 他）のエッジ形状等の高精度な測定が可能です。
SiC用・インプラ・ドーズモニター
PMR-C
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MR(Photo Modulated Reflectivity Measurement)は、アニール前のイオン注入のドーズ量モニターを可能とする技術です。非接触・非破壊にてインプラ工程のインライン管理を可能とします。
R&Dソリューション
非接触シート抵抗 / 移動度測定装置
LEIシリーズ
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LEI-2000Mは、最小２インチ～最大８インチ径のウェーハに対応し、【非接触・非破壊】で移動度・キャリア濃度・シート抵抗の面内分布を測定し、最大200mmのサンプルに対応します。
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非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズ
LEI-1510シリーズでは、2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等）epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗が可能です。
ホール効果測定装置
PDLシリーズ
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ホール効果測定装置 PDLシステムは、ACモード・DCモードの両方のホール効果測定に対応しています。DCモードに比べて、ACフィールド測定では、キャリア移動度0.03 cm2/Vs以上の測定が可能です。 様々な材料の測定にも使用いただけます。
ナノインデンテーション測定
INDシリーズ
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ナノインデンターは、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの様々な物質の 硬度や弾性率を測定します。AFMに搭載することで、圧痕を直接観察することも可能です。
分光エリプソメーター
SEシリーズ
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SE-2000は、研究開発用途の分光エリプソメーターです。深紫外から近赤外領域の波長範囲で、単層膜から多層膜までの膜厚測定、光学定数（屈折率、消衰係数）を精度良く測定します。
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R2R SEは、ロールツーロール工程用の分光エリプソメーターです。単層膜から多層膜までの膜厚測定と光学特性（屈折率、消衰係数）の測定が可能です。
高抵抗・半絶縁材料向け測定器
COREMA
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シリコン・化合物半導体の抵抗率測定が可能です。 非接触のため電極形成が不要で、量産製品を容易に測定して頂けます。
電気特性測定
CMS/CLS
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太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。渦電流法（Eddy Current）により、シリコン単結晶、多結晶のシート抵抗を非接触・非破壊でモニターします。
FPPシリーズ
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4探針シート抵抗測定装置です。太陽電池（単結晶、多結晶、アモルファス、有機）の研究開発でご使用頂いています。ITO膜などの透明導電膜のシート抵抗を高精度で測定可能です。
非接触式欠陥検査測定
PLIシリーズ
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フォトルミネッセンス PLI-101/A, PLI-103/A
太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。フォトルミネッセンスによりシリコン単結晶、多結晶の結晶欠陥を非接触でモニターします。
