Semilabの光散乱バルク微小欠陥検出装置「LSM-3000」は、非接触・非破壊の光散乱トモグラフィ技術により、シリコンウェーハ内部のバルク微小欠陥（BMD）やCOPを高感度に検出し、プロセス開発から量産インライン管理までを一貫して支援する検査ソリューションです。
製品概要
LSM-3000は、赤外レーザ光を用いた低角度照明と散乱検出により、ウェーハ内部の微小欠陥を三次元的に捉え、1枚のイメージ画として出力し「見える化」するバルク欠陥検査装置です。
シリコンウェーハのBMD、酸素析出物、COP、転位欠陥などを対象に、欠陥密度・サイズ・深さ分布をまとめて評価できます。
- 対応ウェーハ径：200 mm / 300 mm
- 主な測定対象：BMD、COP、空孔型欠陥、転位欠陥など
- 適用工程：結晶成長、アニール・拡散、エピ、CMP後評価 など
主な特長
LSM-3000は、研究開発と量産ラインの両方で使いやすい測定性能とスループットを両立しています。
- 非接触・非破壊測定：ウェーハを割らずにバルク欠陥を評価可能
- 高空間分解能：XYイメージ測定時に約18 nm、XZイメージ測定時に約25 nmクラスの分解能で内部構造を解析
※XYイメージ測定での18nm欠陥検出は深さ70µmまでとなります - 広いダイナミックレンジ：BMD密度2×105～1×10¹⁰ cm⁻³クラスの欠陥を1回の測定でカバー
- 対応ウェーハサイズ：200〜300 mmクラスのシリコンウェーハに対応
- 測定時間：ウェーハ1枚あたり数分オーダーでの自動測定が可能（測定条件による）
ウェーハ全面の任意の場所を最大約2,000 × 400 μmのラインスキャンで自動測定し、ロット間・ウェーハ内ばらつきや工程変動を定量的に比較できます。
得られるデータとメリット
LSM-3000は、単なるOK/NG判定ではなく、プロセス改善に直結する定量データを提供します。
- BMD密度プロファイル（表面〜バルク〜ウェーハ内部の深さ方向分布）
- 欠陥密度のロット間・ウェーハ内ばらつき
これにより、以下のようなメリットが得られます。
- BMD密度を制御しつつCOPを抑える熱処理条件の最適化
- DZ（デニューデッドゾーン）深さのターゲットレンジ管理
- 結晶引き上げ条件変更時の影響を早期にフィードバック
- 新規プロセス導入時の立ち上げ期間短縮と歩留まりの早期安定化
