製品情報
非接触シート抵抗/移動度測定装置 LEI-2000M
LEI-1510シリーズでは、2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等）epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗が可能です。
非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズ
LEI-1510シリーズでは、2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等）epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗が可能です。
分光エリプソメーター SE-2000 （回転補償子型）
SE-2000は、研究開発用途の分光エリプソメーターです。深紫外から近赤外領域の波長範囲で、単層膜から多層膜までの膜厚測定、光学定数（屈折率、消衰係数）を精度良く測定します。
インライン分光エリプソメーター µSE-2300
μSE-2500は、300mmウェハ専用の全自動分光エリプソメーターです。パターン認識機能を有し、半導体製造プロセスで成膜管理にご使用いただいています。
インライン分光エリプソメーター μSE-3000 / SE-3000
SE-3000は、デュアルFOUPタイプの全自動分光エリプソメーターです。半導体製造プロセスで、成膜管理検査にご使用いただいています。
エピ抵抗率測定装置 QCシリーズ
QCシリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率を測定します。ＳＰＶ法によりウェハー上にパルス光を照射してウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。
エピ膜厚測定装置 EIR-シリーズ
エピ膜厚測定装置EIRは、FTIRと赤外干渉の原理を用いて、エピタキシャル膜（エピ膜）の膜厚値を精度良く測定します。従来のFTIRでは測定が困難であった遷移領域の膜厚まで非接触、非破壊で測定します。炭素濃度、酸素濃度測定にもご使用頂けます。
転位欠陥可視化装置 EnVision
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。フォトルミネッセンスにより、ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥を高精度で検出します。深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。
ストレス測定装置 PSIシリーズ
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥やストレスを非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥、スリップラインを高精度で検出します。
結晶欠陥検査装置 LSTシリーズ
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、酸素、金属、堆積物、積層欠陥、スリップラインを断面からの散乱工により高精度で検出します。
非破壊インプラ ダメージモニター PMR-3000
非接触・非破壊インプラモニターPMR-3000はインプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深さを非接触・非破壊で測定する装置です。
トレンチ形状検査装置 IRシリーズ
トレンチ検査装置IRシリーズは、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。ハイアスペクト比のトレンチ評価、エピ膜のドープ濃度のプロファイル測定やDLC膜厚測定も可能です。
