ワイドギャップ半導体、欠陥・不純物分析
スペクトルフォトルミネッセンス法は、非接触・非破壊で
様々な材料の電気的特性を診断する技術です。
セミラボ製SPLシリーズは深紫外（DUV）から近赤外（NIR）の
スペクトル範囲におけるPL分光測定によって、
GaN、AlGaN、AlNといったワイドギャップ半導体の欠陥と不純物の評価が可能。
またSiC基板・エピ層の結晶欠陥モニタリングにもご使用いただけます。
特にGaN評価のアプリケーションで多数の販売実績もあり、
ラマン分光オプションにより構造解析も可能です。
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。フォトルミネッセンスにより、ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥を高精度で検出します。深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。
トレンチ検査装置IRシリーズは、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。ハイアスペクト比のトレンチ評価、エピ膜のドープ濃度のプロファイル測定やDLC膜厚測定も可能です。
エピ膜厚測定装置EIRは、FTIRと赤外干渉の原理を用いて、エピタキシャル膜（エピ膜）の膜厚値を精度良く測定します。従来のFTIRでは測定が困難であった遷移領域の膜厚まで非接触、非破壊で測定します。炭素濃度、酸素濃度測定にもご使用頂けます。
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