フォトルミネッセンスイメージング
シリコンブロックの高分解能・高速のバルクライフタイム測定は、フォトルミネッセンスイメージングにより実現します。
測定中に、電荷キャリアペアがシリコンブロックの高輝度照射で励起されます。照射は電荷キャリアの再結合に影響を与えます。与えない場合、欠陥が存在し、放射再結合の可能性があります。放射再結合中に、フォトンが放出され、これをIRカメラで検出できます。この結果作成される画像「マップ」は、シリコンブロックと結晶欠陥の純度に関する情報を提供します。PL強度は、欠陥密度と不純物濃度に反比例し、業界標準であるセミラボのµ-PCD値で校正してライフタイムに変換できます。
ソフトウェアを用いて欠陥と不純物を特定した後は、切断位置を定めることができ、内蔵プリンタでマーカーを印刷することや、ブロックにラベルを付けることもできます。
異なるタイプの検出器によるPL結果：
PL画像：
特徴
- 完成セル、処理済みウェハー、as-cutウェハーの反射側のフォトルミネッセンス
- µ-PCD校正PL画像からのOn the Flyライフタイムマップ
- 研究開発用途をカバー
- 校正済みライフタイムマップとカスタマイズ可能な分類パラメータによる品質説明
- as-cutマルチ/モノキャストウェハーPL画像からのセル効率予測（校正が必要）
- スラリーウェハーとダイヤモンド切断ウェハーの両方を測定可能
製品ラインナップ
PLI
ウェハー&セル検査用フォトルミネッセンス装置
ウェハーとセルの品質を、as-cutウェハーから完成セルまでのすべての加工段階において非破壊で測定できる、高速かつ確実なインラインフォトルミネッセンス装置です。
製造の全段階にわたって材料の品質を完全に管理できます。
高品質のウェハーから高効率のセルが作られ、製造のコスト効率が高まります。
