フォトルミネッセンスイメージング

フォトルミネッセンス(PL)イメージングは、多結晶、モノキャスト、あるいは単結晶ウェハーのモニタリングに効果的です。測定中に、レーザーがシリコンブロックを照射し、生成されたフォトルミネッセンス信号が赤外線(IR)カメラで検出されます。照射は電荷キャリアの再結合に影響を与えます。与えない場合、欠陥が存在し、放射再結合の可能性があります。放射再結合中に、フォトンが放出され、これをIRカメラで検出できます。PL強度は、欠陥密度と不純物濃度に反比例します。

システムの特徴:

  • as-cutウェハーに対しても高品質・高速なイメージング
  • 高度なOn the Flyライフタイム校正法 
  • 特定の要件に応じた柔軟な分類
  • エッジが破損したウェハーの検出
  • 太陽電池ウェハーをあらゆる加工段階で測定でき、完全なプロセス管理を実現
  • 正確な装置マッチング機能
  • as-cut段階でのセル効率予測機能
  • 独立した使用から全自動システムへの導入まで、柔軟に構成可能

フォトルミネッセンスイメージング

検出できる欠陥の種類:

1.材料(as-cutウェハー):

全般

  • 高汚染(コンタミネーション)濃度
  • エッジ(コーナー)汚染

多結晶ウェハー

  • 高転位濃度
  • 活性粒界

単結晶ウェハー

  • リング欠陥(様々な理由で生じる)
  • ピンホール
  • クラック

2.パッシベーション管理
(両面がパッシベートされたサンプル)

On the FlyのJ0 & iVOCマッピング(オプション)

3.配線(完成セル):

シャント

エッジアイソレーション欠陥

不良フィンガー

 

異なる加工段階におけるPL画像:

異なる加工段階におけるPL画像

異なる加工段階におけるPL画像

 

PLI機能とライフタイム機能の比較:

PLデータとμ-PCDデータの相関が高いため、PL強度とライフタイム間の校正が可能:

PL画像

PL画像

μ-PCD画像

μ-PCD画像

 

 多結晶ウェハーのライフタイムによる地点間相関:
 

PL画像

PL画像

μ-PCD画像

μ-PCD画像

 

セル効率の予測値と測定値の相関

効率の測定値
セミラボのソーティングソリューションは、多結晶ウェハーと最終セルの効率との優れた相関を実現します。

QSS µ-PCDによるJ0とIMPLIED VOCのマッピングの比較:

QSS µ-PCDによるJ0とIMPLIED VOCのマッピングの比較

 

特徴

  • 全自動のインラインフォトルミネッセンスイメージング&検査が可能
  • 完成セル、処理済みウェハー、as-cutウェハーの反射側のフォトルミネッセンス
  • µ-PCD校正PL画像からのOn the Flyライフタイムマップ
  • 校正済みライフタイムマップとカスタマイズ可能な分類パラメータによる品質説明
  • as-cutマルチ/モノキャストウェハーPL画像からのセル効率予測(校正が必要)
  • スラリーウェハーとダイヤモンド切断ウェハーの両方を測定可能
  • オフライン測定装置もご用意
製品ラインナップ
PLI

PLI

ウェハー&セル検査用フォトルミネッセンス装置
ウェハーとセルの品質を、as-cutウェハーから完成セルまでのすべての加工段階において非破壊で測定できる、高速かつ確実なインラインフォトルミネッセンス装置です。
製造の全段階にわたって材料の品質を完全に管理できます。
高品質のウェハーから高効率のセルが作られ、製造のコスト効率が高まります。

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