FAaLEI-1610E100AM, LEI-1610E100R,LEI-1616AM, LEI-1618AM, LEI-1616RP, LEI-1618RP
2インチから最大 8インチまでの Si ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等） epi ウエハを非接触・非破壊でキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度の測定が可能です。
旧リハイトン社（Lehighton Electronics, Inc.）の装置です。
特徴とシステム仕様：
- マイクロ波および磁界の巧みな制御・処理により、2インチから6インチウェーハの移動度を非破壊で測定可能。
- 電極形成が不要であり、実際に量産されているウエハを誰にでも簡単に再現性の良い測定が可能。
- キャリア移動度: ~100 – 20,000 cm2/v.sec (*1605AMは~600 – 20,000 cm2/v.sec)
- キャリア密度: ~1E11 – 6E14 carriers/cm2
- シート抵抗: ~100 – 3,000 ohm/sq
- 磁界制御とソフトウェア処理により、キャップ層がついたままの状態での測定も可能。
