トレンチ形状検査装置
トレンチ形状検査装置は、プロセスウェハーの測定を高速かつ再現可能な方法で非破壊・非接触で行う薄膜メトロロジー検査システムです。
IRシリーズの製品では、独自のMBIR（Model-Based Infrared Reflectometry）技術により、半導体集積回路の製造で使用されるエッチング構造と膜の寸法、膜厚、組成、均一性を、高スループット、低COO、非接触・非破壊で測定できます。独自のMBIR技術と分析機能により、主要なサンプル測定に対して、定期的なシステム校正作業頻度が少なくなり、基板の差異による影響がなくなります。
図2.パターン付きウェハー
図3.MBIR技術
独自のMBIR技術には、裏面反射を抑制して無関係なデータを除去する特殊な光学系が含まれています。このため、主要なサンプル測定に対して、分析機能が向上し、定期的なシステム校正作業頻度が少なくなり、基板の差異による影響がなくなり、正確で再現可能な測定が可能になります。
トレンチ形状検査装置では、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。独自技術MBIR（Model Based Infrared)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。
スポットサイズ構成が異なる2つのMBIR光学系があります。
- 大型スポット光学系は主に、膜や、パターン付きウェハーのデバイス領域の測定に使用されます。
- 小型スポット光学系では、パターン付きウェハー上のスクライブラインテスト構造を測定できます。
図4.測定結果
プロセスアプリケーション
赤外線スペクトル範囲は、ウェハー上の各種の薄膜やエッチング構造からの自由キャリア、分子振動、干渉効果に敏感であるため、この手法は幅広い半導体アプリケーションに採用できます。3D構造デバイスに有効媒質計算を適用すると、この手法で未来技術ノードに対応することができます。
| メモリーアプリケーション |
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|---|---|---|
| ドープエピ（Epi）&インプラントアプリケーション |
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| HARトレンチ&貫通電極アプリケーション |
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| 3D積層アプリケーション |
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| BEOL膜アプリケーション |
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| エピアプリケーション |
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特徴
- ・モデルベースの手法
- ・高スループット
- ・中IR～近IR波長域により、様々なアプリケーションに対応
- ・裏面反射を除去する独自の光学系で高精度測定を実現
IR
Semilab社のIR製品シリーズでは、独自のトレンチ形状検査装置により、エッチング構造やリセス形状、トレンチ構造の膜厚や開口幅、トレンチ深さなどのパラメータをナノメートル精度で測定できます。また、エピタキシャル層の膜厚値も高精度で測定が可能です。
トレンチ形状検査装置 IRシリーズ
トレンチ検査装置IRシリーズは、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。ハイアスペクト比のトレンチ評価、エピ膜のドープ濃度のプロファイル測定やDLC膜厚測定も可能です。
エピ膜厚測定装置 EIR-シリーズ
エピ膜厚測定装置EIRは、FTIRと赤外干渉の原理を用いて、エピタキシャル膜（エピ膜）の膜厚値を精度良く測定します。従来のFTIRでは測定が困難であった遷移領域の膜厚まで非接触、非破壊で測定します。炭素濃度、酸素濃度測定にもご使用頂けます。
