キャリア・ライフタイムマッピングに基づくマイクロ波フォトコンダクタンス減衰（µ-PCD）法は、太陽電池アプリケーション向けのシリコン原料の電気品質の特性評価によく使われており、バルクSi材料の評価にも適用されています。µ-PCD測定が材料製造中に果たす主な役割の1つは、シリコンブリックの上部と下部の特に汚染（コンタミネーション）の激しいエッジを明確に定めることです。高品質の中間部の品質管理の重要性が、たとえば、高性能多結晶（HPM）シリコンの製造などで高まっています。したがって、この目的のために、確実で十分に理解されているバルクライフタイム特性評価法が必要です。従来のµ-PCD構成（904nm励起レーザーを使用）では、「危険ゾーン」の再結合ライフタイムに関する適切な情報は提供されますが、中間ゾーンでは、実際のバルクライフタイムは数百マイクロ秒である可能性があるのに対し、測定できる減衰は約10µsまでに制限されます。この検出可能な「有効ライフタイム」は、µ-PCD測定中に過剰キャリア生成に使用するレーザー光源の特性を変えることで大幅に増加できます。このアプリケーション向けに最適なµ-PCD構成として、シミュレーションと実験結果に基づき、以下を利用することが推奨されます。

• 1064nmの短パルスレーザー
• 標準のµ-PCDアンテナ

この構成のメリット：

• WT-2000システムファミリーのレーザーをアップグレードすることで、多結晶シリコンインゴットの特性評価を向上できます。
• Siブリック全体で比較的安定した注入レベルを実現でき、結果の分析が簡易になります。