非接触シート抵抗測定システム LEI-2000RS

安定性と高性能をコンパクトに凝縮。化合物やSi半導体デバイスのプロセス最適化に不可欠なシート抵抗を、非接触・非破壊で精密に測定する次世代の卓上型測定システム。

製品概要

セミラボ（SEMILAB）の「LEI-2000RS（Lehighton-2000RS）」は、化合物やSi半導体の導電特性評価において25年以上の実績を誇るLehighton-LEIシリーズの最新モデルです。
SEMILAB社による全く新しい設計により、前世代機種（LEI-1510EC）を上回る安定性と設置面積の縮小（コンパクト化）とコスト効率に優れた手頃な価格を実現。
性能や安定性を損なうことなく、研究開発（R&D）から製造現場での品質管理まで幅広くカバーする汎用性の高い卓上型プラットフォームです。
本システムは、独自の非接触型Eddy（渦電流）プローブヘッドを採用しており、ウェーハ表面に一切接触することなくシート抵抗を高精度に評価可能です。RF通信デバイスやオプトエレクトロニクスなどの先端分野において、デバイス性能に直結する重要な物理パラメータを正確に把握し、プロセス最適化に大きく貢献します。

LEI-2000RSが選ばれる主な特長

卓越した機能・性能

• 完全非接触・非破壊の渦電流（エディ）計測法。ウェーハに傷や汚染を与えないため、インライン評価に最適です。
• 距離依存性を排除する「ダブルコイル設計」
  両面非接触測定を行う上下のダブルコイル設計を採用。測定時のウェーハとの距離依存性を低減し、極めて信頼性の高い再現性を実現しています。
• 驚異的なワイドレンジ対応
  新開発のトリプルエディプローブヘッドを搭載可能。前世代の測定下限（0.035 Ω/sq.）を大幅に塗り替える超低抵抗領域から、高抵抗領域まで1台でカバーします。
• 省スペース設計とクリーンルーム対応
  設置スペースを削減するコンパクトな筐体でありながら、クリーンルームに対応する高度なクリーン設計を導入。限られたスペースの最適化に寄与します。
• 高解像度2D/3D等高線マッピング機能
  高度なソフトウェアにより、ウェーハ全面のシート抵抗分布を鮮明な2D/3Dカラーマップで視覚化。エピタキシャル成長時のガス流動パターンなど、プロセスの不均一性を一目で把握できます。
• 4〜8インチ対応の豊富な半自動拡張オプション
  手動測定に加え、最大直径200mm（8インチ）ウェーハに対応する自動搬送機能、アライナー、シグナルライトタワー、工場通信用のSECS/GEM対応などのオプションを追加可能です。

アプリケーション（対象材料・用途例）

LEI-2000RSは、幅広い半導体材料のバルクウェーハや一部のエピ層(※)、RFおよびオプトエレクトロニクス市場の材料評価に対応します。

• 化合物半導体および高電子移動度材料の評価
  ・GaN / AlGaN： 高周波・パワーデバイス用のGaN HEMT構造、UV LED評価等。
  ・GaAs： 高速通信向けRFデバイス、オプトエレクトロニクス材料等。
  ・InP / InAs / InGaAs / mHEMT / pHEMT などの高速・高周波半導体等。
  ・SiC
• シリコンおよびその他バルク材料
  ・p型/n型Siウェーハ、Ge（ゲルマニウム）、中性子転換ドーピング（NTD）シリコンなどの抵抗率評価。
  ※エピタキシャル層（EPI層）測定時、下部基板は高抵抗（>5 kΩ·cm）である必要があります。（導電性基板上の評価には別製品ライン「MCV」も対応可能です）

主な仕様・オプション

研究対象のサイズや求められるスキャンエリア（スキャナーレンジ）に応じて、最適な構成を選択可能です。お客様の研究ニーズや専門的なご要望に合わせた「カスタムスキャナー設計」も承っております。