半導体      DLTSシステム DLS-1000

DLTSシステム DLS-1000 - 半導体

概要

DLTS測定評価システム「DLS-1000」は、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです

DLTS(Deep Level Transient Spectroscopy)は、半導体における深い準位(トラップ)を測定する方法です。容量の過渡応答を利用して禁制帯中のエネルギーと捕獲断面積が分かります。

DLTS 測定・評価項目

主な測定・評価項目
・測定Max感度 : C=2x10-5pF for S/N=1
(温度・周波数スキャンに可変時)
・トラップ濃度:Nt<10-5INd-Na)
・I-V/C-Vプロット
・捕獲断面積測定
・電界依存性測定
・トラップ深さ測定
・Mos測定

特徴

- 高感度な汚染検出が可能 (2.0E+8 atoms/cm3 )
- 幅広いクライオスタット用のインターフェイスを装備
- 温度、周波数スキャン、C-V特性 等の測定が可能
- 簡単に深さ方向のプロファイル、トラップの分布状態、元素及び欠陥の特定ができ、
不良及び結晶欠陥の解析に有効(測定結果をライブラリーにある汚染物質のDLTS
信号の羅列と比較・分析をすることで、容易に汚染物質の特定が可能)
- 高感度アナログ/デジタル(測定はアナログ、データ処理はデジタル) ロックイン
 平均法を採用したユニークなシステムで、且つオペレーターフレンドリーなソフトを
 装備

DLTSシステム

DLTSシステム DLS-1000 - 半導体
DLTSシステム サンプルステージ 

DLTS 測定結果

DLTSシステム DLS-1000 - 半導体
DLTS測定システムによるFe-B pairsのアニーリングによる影響