半導体      結晶欠陥測定装置 LST-300

結晶欠陥測定装置 LST-300 - 半導体

概要

結晶欠陥測定装置LST-300は、半導体の結晶欠陥を検査する装置です。入射レーザーにより生じたBMDの散乱光をウェハー断面近傍にあるCCDカメラで記録し、高い解像度による迅速な測定が可能です

結晶欠陥測定装置LSTは、CCDカメラを使用し、切断されたウェハーサンプル断面の結晶欠陥を測定します

特徴

-高速測定
-深くても高解像度
-認識可能最少パーティクルサイズ 12nm

設備仕様

800W,100-240V, 50/60Hz
真空;0-0.3bar, 最大1-2L/分
操作温度:23℃±3℃;1℃/時
クリーンルーム:クラス10,000同程度