エアギャップCV測定

図2.エアギャップCVプロファイリング

エアギャップCV(ACV)技術は、エピ層(エピタキシャル層)やシリコン基板抵抗率の非接触測定を可能にするために、従来の測定手法でモニターする場合に生じていたテストウェハーのスクラップをなくし、コストを削減します。あらゆる型のエピ基板を非接触でモニターすることができます(p/p+、n/n+、p/p-、n/n+/p+、ベアn、n表面)。

ACVは、概念的には従来の水銀プローブCV測定法またはCVショットキー法に類似しています。空乏層の幅を特定するために、ウェハー表面に異なる電圧を印加し、生じるキャパシタンスを測定します。センサーをウェハー表面の非常に近くに、かつ表面に触れないよう配置するために、空気軸受が使われます。こうした非破壊・非汚染の特性により、この手法では、製造直後の実際の製品ウェハーを確実に測定することができます。

 

エピプロセス後のウェハー表面を安定させるために、一体型の表面処理室(PTC)を使用して、均一で電気的特性に優れた自然酸化層が生成されます。

オゾン(O3)は、UV光をCDAに照射して生成されます。

ウェハーは、O3に高温(450~490℃)で暴露されます。

この結果、パッシベートされ、よって電気的特性に優れた自然酸化膜ができます。

  • 低電荷、低界面準位で均質な自然酸化膜

PTCプロセスは、ウェハーの特性に一切影響を与えません。

製造直後のウェハーの場合、この処理によって表面が安定します。

時間が経過しているウェハーの場合、PTCによって表面の自然酸化膜が改良されます。

図3.エアギャップCV

特徴

  • ・製品ウェハーの非接触抵抗率プロファイリング
  • ・ACVプロファイルにより、不適切な操作によってエピタキシャルリアクタに生じた問題を検出できる場合がある
  • ・ACVは水銀CV法や他の手法との関連付けが簡単
  • ・n型とp型、すべての結晶方位に対応
  • ・埋め込みパターンや埋め込み層に左右されない
  • ・従来のCV理論に基づいている
  • ・製品ウェハーの非破壊測定により、モニターウェハーのコストを解消
  • ・リアクタの生産能力を製造にすぐ戻すことが可能
  • ・設定中のダウンタイムを減らすことで、リアクタの生産能力を向上
製品ラインナップ

ACV

ACVは、エピ層抵抗率プロファイルを製造中に測定する、業界初のリアルタイムな非接触法です。迅速なフィードバックが提供され、抵抗率プロファイルグラフやウェハーマップも入手できるため、エピプロセスのトラブルシューティングを行いながら、管理をさらに向上できます。

特許取得済みの技術を用いて、エピ層抵抗率を100%非接触・非破壊で測定します。

エピ基板の型:すべての型:p/p+、n/n+、p/p-、n/n+/p+、ベアn、p表面。p/nやn/pなどの他の構造も販売前デモに応じて対応可能です。

 

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