エアギャップCV測定

エアギャップCV（ACV）技術は、エピ層（エピタキシャル層）やシリコン基板抵抗率の非接触測定を可能にするために、従来の測定手法でモニターする場合に生じていたテストウェハーのスクラップをなくし、コストを削減します。あらゆる型のエピ基板を非接触でモニターすることができます（p/p+、n/n+、p/p-、n/n+/p+、ベアn、n表面）。

ACVは、概念的には従来の水銀プローブCV測定法またはCVショットキー法に類似しています。空乏層の幅を特定するために、ウェハー表面に異なる電圧を印加し、生じるキャパシタンスを測定します。センサーをウェハー表面の非常に近くに、かつ表面に触れないよう配置するために、空気軸受が使われます。こうした非破壊・非汚染の特性により、この手法では、製造直後の実際の製品ウェハーを確実に測定することができます。

エピプロセス後のウェハー表面を安定させるために、一体型の表面処理室（PTC）を使用して、均一で電気的特性に優れた自然酸化層が生成されます。

オゾン（O₃）は、UV光をCDAに照射して生成されます。

ウェハーは、O₃に高温（450～490℃）で暴露されます。

この結果、パッシベートされ、よって電気的特性に優れた自然酸化膜ができます。