フォトルミネッセンスイメージング

シリコンブロックの高分解能・高速のバルクライフタイム測定は、フォトルミネッセンスイメージングにより実現します。

測定中に、電荷キャリアペアがシリコンブロックの高輝度照射で励起されます。照射は電荷キャリアの再結合に影響を与えます。与えない場合、欠陥が存在し、放射再結合の可能性があります。放射再結合中に、フォトンが放出され、これをIRカメラで検出できます。この結果作成される画像「マップ」は、シリコンブロックと結晶欠陥の純度に関する情報を提供します。PL強度は、欠陥密度と不純物濃度に反比例し、業界標準であるセミラボのµ-PCD値で校正してライフタイムに変換できます。

フォトルミネッセンスイメージング

フォトルミネッセンスイメージング

 

ソフトウェアを用いて欠陥と不純物を特定した後は、切断位置を定めることができ、内蔵プリンタでマーカーを印刷することや、ブロックにラベルを付けることもできます。

異なるタイプの検出器によるPL結果:

異なるタイプの検出器によるPL結果

PL画像:
 

PL画像

 

特徴

  • 非接触・非破壊の技術
  • 4面のブロックスキャンにより、欠陥と汚染(コンタミネーション)の正確な位置を把握
  • 高速スキャン
製品ラインナップ
PLB

PLB

 

PLB製品シリーズは、太陽電池アプリケーションにおいて研磨済みまたは未研磨のシリコンブロックの欠陥と不純物の濃度を非接触で判定するのに最適です。PLBシステムには、フォトルミネッセンスライフタイム測定とµ-PCDが含まれています。

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