単波長エリプソメトリー

 

単波長エリプソメトリーの主なアプリケーションは、反射防止膜の特性評価です。セミラボのレーザーエリプソメーターは、HeNeレーザー(632.8nm)の波長で膜厚の測定と屈折率の特定を実行するのに適しています。研磨済みまたはテクスチャが形成された単結晶/多結晶シリコン基板上に生成された反射防止膜も測定できます。

 

テクスチャ化単結晶シリコンの表面形状

傾斜角54.7°のピラミッドが、水酸化アルカリを用いたウェットエッチングによって結晶方位<100>のシリコンウェハー上で発生します。ピラミッドの傾斜角は、結晶方位<100>と<111>の挟み角で決まります。

 

 

テクスチャ化単結晶シリコン表面の電子顕微鏡画像

 

生成された薄膜の特性を測定するために、光学式アームを54.7°傾ける必要があります。この設定により、ピラミッドのファセットがエリプソメトリーの入射面に対して垂直になります。

基板表面が荒くても、レーザービームが集束されているため、優れた信号対ノイズ比を実現できます。

 

テクスチャ化多結晶シリコンの表面形状

多結晶シリコンウェハーには、様々な結晶方位のドメインが含まれているため、エッチングソリューションで等方性テクスチャを形成できます。
この結果、ランダムに分布した表面構造が成長し、この構造に特徴的な方位はありません。これらのサンプルは、エリプソメトリーの入射面をウェハーに垂直にした設定で測定する必要があります。
基板表面が荒くても、レーザービームが集束されているため、優れた信号対ノイズ比を実現できます。

テクスチャ化多結晶シリコンの電子顕微鏡画像

 

特徴

  • 非常に正確な薄膜測定
  • SiNx、SiOxNy、SiO2、a-Si、ポリSi向けアプリケーション
製品ラインナップ

LE

x-y-z電動ステージにより、厚さと屈折率のマッピングを実行でき、5インチと6インチの両方のウェハーの層パラメータの均一性が表示されます。
反射防止膜の厚さと屈折率の特性を評価できます。
オプションの入射角度範囲は、手動で5˚ずつ設定できます。
サンプル上の集束スポットサイズは1mm未満です。
マッピング結果から、厚さと屈折率の均一性を特定できます。
テクスチャ化単結晶サンプルの測定には、特別な光学式傾斜アームを使用できます。

 

LE

 

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