特長
研究開発から量産スポットチェックまで、柔軟な解析を実現
EIR-2201は、マイケルソン干渉計をベースとした高性能なフーリエ変換赤外分光（FTIR）計測装置です。最新の「第2世代計測ヘッド」を搭載し、パワー半導体製造において不可欠なSiC（炭化ケイ素）やSi（シリコン）の特性評価を、非破壊かつ高精度に行います。
- コンパクト＆高性能なデスクトップ設計：
クラス最小レベルのフットプリントを実現しながら、上位モデルと同等の高感度光学系を搭載。クリーンルームの省スペース化に貢献します。 - SiCパワーデバイスへの最適化：
複雑なSiCエピタキシャル層の厚さ測定、高濃度ドーピング層、バッファ層のプロファイル解析において、独自の光学モデリング技術による圧倒的な解析能力を発揮します。 - 第2世代計測ヘッドの採用：
光学系の安定性を飛躍的に高めた新設計ヘッドにより、装置間のマッチング性能を向上。再現性の高いデータ取得を保証します。 - 多機能な解析アルゴリズム：
干渉計分析（Igram）や多変量解析（PLS）など、アプリケーションに応じた最適な解析手法を選択可能。R&Dにおける未知の材料解析から、生産現場の品質管理まで1台で対応します。
技術仕様
高精度な計測を支えるスペック
EIR-2201は、100mm（4インチ）から200mm（8インチ）のウェーハサイズに対応し、幅広い波長領域での計測をサポートします。
| 項目 | 内容 |
|---|---|
| 測定方式 | フーリエ変換赤外分光法（FTIR） |
| 測定波長範囲 | 7,500 ～ 450 cm⁻¹ |
| 波長精度 | 0.04 cm⁻¹（2000 cm⁻¹において） |
| 対応ウェーハサイズ | 100mm, 150mm, 200mm |
| 測定項目 | SiC/Siエピ厚、SOI、不純物（Oi, Cs）、BPSG組成、SiN水素濃度 |
| 再現性 | エピ厚測定：0.002μm (1σ) 以下 |
| ローディング方式 | ローディング方式 セミオートマチック（手動ロード） |
オプション
多様なニーズに応えるカスタマイズ
お客様の用途に合わせて、計測機能を拡張することが可能です。
- 透過率測定ユニット：
バルクシリコン中の格子間酸素（Oi）や置換型炭素（Cs）の定量分析に必須のオプションです。 - 反射測定モジュール：
多層膜やエピタキシャル層の厚さ計測、イオン注入後の損傷評価に最適化されています。 - 誘電体膜・組成分析ソフトウェア：
BPSG、PSG、FSG等の膜中添加物濃度や、Si-H、N-H結合による水素濃度分析を可能にします。 - SECS/GEM通信機能：
実験データの自動転送や、工場内の上位システムとのデータ連携をサポートします。
