キャリア・ライフタイム（µ-PCD、QSS-µPCD）

マイクロ波検出フォトコンダクタンス減衰（µ-PCD）法キャリア・ライフタイム測定は、ウェハー製造や太陽電池製造におけるウェハー検査・品質管理・プロセスモニタリングに役立つ技術です。

マイクロ波誘導フォトコンダクタンス減衰法は、シリコンの少数キャリア・ライフタイムを測定する一般的な方法になります。
この方法は高い信頼性・再現性・短い測定時間で高分解能のライフタイムマップも作成できます。
汚染物質の頻発とそのライフタイムにより、効率が損なわれます。

影響度	元素
強	Fe、Pt、Cu
中	Pd
弱	Mo、W
ごくわずか	Ca、Al、Zn、Ti

汚染物質は、ライフタイム（あるいは拡散長）への影響が異なる2つの分子状態で存在する可能性があります。
汚染物質の状態を変化させることによって生じるライフタイムの変化で、その汚染物質の量を測定します。

・状態を変化させる独自の方法が必要
・定数は経験的に導かれる
・汚染物質がライフタイムに与える影響は注入レベルによって異なる場合がある
・変化はμ-PCD法またはSPV法で検出できる

µ-PCD法

シリコン太陽電池・IC製造で使用される再結合特性・欠陥のメトロロジー、
キャリアを生成するレーザー光のパルスに基づいています。
励起されたキャリアが半導体の導電性を変えます。
マイクロ波反射は導電性の変化による影響を受け、測定される信号によって導電性の減衰が示されます。
このモニタリングの対象は、バルクライフタイムパラメータです。
このパラメータにより、汚染（コンタミネーション）と転位に関する情報が得られるからです。

多結晶シリコンにおける結晶度の役割：

異なる粒子で異なるライフタイムを観察できる

準定常状態マイクロ波検出フォトコンダクタンス減衰

セミラボが開発した技術の新たな強化版は、「QDCによるQSS-μPCD」と呼ばれます。
「減衰品質管理による準定常状態マイクロ波（検出）フォトコンダクタンス減衰」です。
この技術により新機能の追加・制度が向上し、アプリケーションが広がります。
これは、シリコンPVウェハーの統合型ライフタイム測定法であり、太陽電池製造で最もよく使用される
2つのライフタイム – 過剰キャリア減衰ライフタイム（Ʈ_eff.d）と準定常状態での有効ライフタイム（Ʈ_eff.ss） – を、
パラメータなしで自己無撞着的に決定できます。

これが、PVに重要な他の再結合パラメータを広範囲の定常照明にわたって決定するためのベースとなります。
この手法は、ウェハーマッピングに関するμ-PCD独自の利点も保持しています。

QSS-μPCD法、減衰ライフタイム測定は、微小摂動の過渡条件を定常状態条件に課して行われます。
定常状態条件を実現するために、定常光をオンにします。
次に、短レーザーパルスによって追加の自由キャリアが生成され、減衰をモニターして減衰時定数が求められます。
レーザー励起、微小摂動の条件が適切に満たされている場合、

定常状態のキャリアの励起より小さくなります。

準定常状態マイクロ波検出フォトコンダクタンス減衰