化合物半導体向け赤外光ルミネッセンス走査型・非破壊欠陥検査システム LumIR-2300

製品概要

次世代の高速通信（RF）、受光・発光デバイス（オプトエレクトロニクス）、そして高感度赤外イメージセンサー市場において、インジウムリン（InP）やガリウムヒ素（GaAs）、InGaAsなどの化合物半導体ウェーハの品質は、最終製品の歩留まりを左右する決定的な要因です。
セミラボの「LumIR-2300」は、非破壊赤外フォトルミネッセンス走査型・欠陥検査システムです。
フルウエーハの高速自動イメージングから、欠陥の自動検出・分類レポートまで、量産およびプロセス監視における最強の品質管理ソリューションを提供します。また、オプション機能としてチップレベルの測定機能も追加可能です。

アプリケーションの課題解決

最先端デバイスの歩留まり向上・欠陥分類への要求に応える

InPやGaAsをはじめとする化合物ベースのウェーハ製造やエピタキシャル成長プロセスでは、目に見えない結晶欠陥や転位、表面の汚染がデバイスの重大な特性劣化を引き起こします。

LumIR-2300は、主に以下の市場が抱える歩留まり改善の課題をクリアします。

• オプトエレクトロニクス / フォトニクス：高出力レーザーや受光素子の発光効率（内部量子効率）の低下を防ぐための結晶性評価
• 高周波（RF）デバイス：ヘテロ接合界面における欠陥の可視化
• 既存の破壊検査（エッチピット密度：EPD測定など）からの脱却：ウェーハを無駄にしない「完全非破壊」でのインライン全数・全数サンプリング検査の導入

製品の特長

セミラボ LumIR-2300 が選ばれる4つの強力な利点

1. 独自技術を含んだ赤外フォトルミネッセンスはウェーハ全体の高精細マップを瞬時に作成可能です。
   Semilab独自技術により結晶内部の構造欠陥（PL強度の低下領域）と、表面の物理的欠陥（微粒子やキズ）を明確に区別して捉えられます。
2. 830nm〜1700nmのSWIR（短波長赤外）高感度検出
   光学フィルターと最先端の赤外検出器の組み合わせにより、GaAs、InP、InGaAsなどの化合物材料のバンド間発光を極めて高いS/N比でキャッチします。
3. 自動チップ（ダイ）計算＆柔軟なダイマップ解析機能(オプション)
   SEMI規格に準拠した最新ソフトウェアを搭載。ウェーハサイズとチップサイズを入力するだけで、プログラムが自動的にチップ数を計算（手動エラーを低減）。
   オペレーターは直感的なユーザーインターフェースを介して、分析対象のダイを簡単に選択・除外でき、特定のニーズに合わせた精密かつ実用的なチップレベルの品質レポートを自動生成します。
4. 測定再現性とパターン認識能力
   欠陥面積・密度の測定において高い制限性を実現しています。
   さらにパターン認識能力を備えているため、パターン化された製品ウェーハ上でも正確な欠陥分類を自動で行います。

技術仕様

セミラボ LumIR-2300 主な仕様構成

お客様の測定対象材料やウェーハサイズに合わせて、最適な測定ヘッドおよび励起オプションを選択可能です。