日本セミラボ テクニカルセミナー

当セミナーの募集は終了いたしました。

定員を超えるお申し込みをいただき、誠にありがとうございました。
今後もセミナー開催を検討しておりますので、どうぞご期待ください。

概2要


日程 平成29年6月16日(金) 10:00~16:30(受付 9:30~)

*セミナー終了に懇談会を予定しております。ぜひご参加下さい。
17:00 頃~ 懇親会 (ザ・グランドティアラ名古屋駅前 パーティー会場)
場所 ザ・グランドティアラ名古屋駅前
(公式サイト:http://www.grandtiara.com/ekimae/

〒453-0015 名古屋市中村区椿町 1-10
参加費用 無料(昼食あり・懇親会込み)
定員 80名(定員に達した時点で、受付を終了させて頂きます。)
申込方法 下記のボタンをクリックし、専用フォームよりお申し込みください。
連絡先 下記E-mail または各担当営業でもお申し込みの受付をさせて頂いております。
E-mail 宛先:
連絡先:045-620-7960
ご予約完了後、確認メールをご返信させて頂きます。

日本セミラボ テクニカルセミナー 講演内容


技術講演 1

『ビックデータの活用によるメモリ製造革新』

東芝メモリ株式会社 四日市工場では、抜本的な生産性改善を進めるべく、積極的にビックデータを活用している。本講 演では、ビックデータ活用の考え方を説明すると共に、機械学習導入など最新の取り組みについて発表する。

東芝メモリ株式会社 赤堀 浩史氏

技術講演 2

『GaN 基板上に作製したショットキーダイオードエピウエハの非接触C-V 評価』

近年、GaN縦型パワーデバイスの研究開発が盛んに行われているが、逆方向耐圧を決定するドリフト層のドナー濃度を ウエハレベルで精確に評価した報告は少ない。本講演では、非接触C-V 評価装置(FAaST-210)を用いて、GaN 基板上 に作製したショットキーダイオードエピウエハのドナー濃度を評価した例を紹介する。

株式会社サイオクス 堀切 文正 氏

技術講演 3

『パワーデバイス用単結晶Si の微量炭素不純物の影響と定量法』

近年のパワーデバイス用基板の製法の影響でSi 結晶中の微量炭素が活性化し、デバイス特性に影響を与える事例が 出てきている。セミナーではDLTS を用いて微量炭素を測定する手法を紹介する。

株式会社SUMCO 江里口 和隆 氏

技術講演 4

『SiC のキャリアライフタイム測定手法と結果の解釈』

SiC バイポーラデバイスの性能に影響を与える重要なパラメータである。キャリアライフタイムの測定手法と、正確な値 を把握するための解釈を説明する。

名古屋工業大学 加藤 正史 准教授

技術講演 5

『クラスターイオン注入によるCMOS センサのゲッタリング技術』

高感度CMOS イメージセンサの性能向上に資するシリコンウェーハの創出を目的に炭素クラスター注入を用いた近接 ゲッタリングウェーハを開発した。その研究成果と製品性能について紹介する。

株式会社SUMCO 栗田 一成 氏

技術講演 6

『DLTS 最前線-GaN を中心として 』

近年、発光デバイス、パワーデバイス用半導体材料として注目を集めているGaN を中心として、デバイスに重要な深い 準位評価法であるDLTS 法の測定原理とその結果について解説する。

愛知工業大学 徳田 豊 教授

技術講演 7

『キャリアライフタイム測定における紫外レーザーの活用』

紫外レーザーを励起源に用いたキャリアライフタイム測定事例を紹介する。Si 材料では赤外レーザーに比べて極表面 の評価が可能となる点、SiC では、PL 測定と比較しキャリアライフタイムに影響を与える要因について事例を示す。

株式会社東レリサーチセンター 森田 直威 氏

技術講演 8

『CIS/パワーデバイス Semilab ソリューション』

高分解能PL によるCIS 白傷欠陥評価、CIS/パワーデバイスの高アスペクト比・ディープトレンチ評価、化合物半導体 (SiC/GaN)の非接触CV 測定など

 

注)都合により内容の変更がある場合がございます。

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