日本セミラボ Webセミナー

当セミナーの募集は終了いたしました。

定員を超えるお申し込みをいただき、誠にありがとうございました。
今後もセミナー開催を検討しておりますので、どうぞご期待ください。

概要

日程	第三回：2021年11月17日（水）14:00～ (60分間程を予定) ＊尚、懇親会の開催予定はございません。
参加費用	無料
定員	100名（定員に達した時点で、受付を終了させて頂きます。）
申込方法	下記のボタンをクリックし、専用フォームよりお申し込みください。
連絡先	下記E-mail または各担当営業でもお申し込みの受付をさせて頂いております。 E-mail 宛先：連絡先：045-620-7960

講演 1	『GaNのパワーデバイス実現に向けた結晶成長技術の革新と評価技術』 GaN基板の高品質化に伴い、新規GaＮパワーデバイスの実現に向けた研究が加速している。結晶の高純度化、不純物制御技術の進展が、デバイス実現のキーポイントである。本講演では、GaNパワーデバイスの研究背景と評価も含めた結晶成長技術について講演を行う。名古屋大学渡邉浩崇氏
講演 2	『GaN HEMT 非接触シート抵抗測定ならびに非接触移動度測定の測定事例』旧リハイトン社製測定装置によるSiC基板上のGaN HEMT Epi膜など測定事例ならびに製品ラインナップを紹介する。日本セミラボ株式会社

講演 1

『GaNのパワーデバイス実現に向けた結晶成長技術の革新と評価技術』

GaN基板の高品質化に伴い、新規GaＮパワーデバイスの実現に向けた研究が加速している。結晶の高純度化、不純物制御技術の進展が、デバイス実現のキーポイントである。本講演では、GaNパワーデバイスの研究背景と評価も含めた結晶成長技術について講演を行う。

名古屋大学渡邉浩崇氏

講演 2

『GaN HEMT 非接触シート抵抗測定ならびに非接触移動度測定の測定事例』

旧リハイトン社製測定装置によるSiC基板上のGaN HEMT Epi膜など測定事例ならびに製品ラインナップを紹介する。

日本セミラボ株式会社

注）都合により内容の変更がある場合がございます。