2025 日本セミラボ テクニカルセミナー
”テーマ”「未来への革新を支える半導体評価技術 ～先端デバイスからパワー半導体まで～」
概要
| 日程 |
2025年7月9日（水） 会場：新横浜グレイスホテル （3F グレイス） 時間：13:00～16:30 受付 は12:30～の開始となります。 ※当日は名刺のご持参をよろしくお願いいたします。 ※17:00 頃～ 懇親会（同ホテル）をスタートいたします。是非ご参加ください。19:00に終了となります。 ※参加費は無料 |
|---|---|
| 開催場所 | 新横浜グレイスホテル （アクセス：https://gracehotel.jp/access/） 〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜3-6-15 |
| 参加費用 | 無料 |
| 定員 | 定員に達した時点で、受付を終了とさせていただきます。 |
| 申込方法 | 下記をクリックしていただくと、専用フォームよりお申し込みができます。 |
| 連絡先 | 下記、E-mail でお申し込みの受付もさせて頂いております。 E-mail 宛先： 連絡先：045-620-7960 |
日本セミラボ テクニカルセミナー 講演内容
| 技術講演 1 |
『Rapidusの挑戦と、それを支える検査計測技術』 北海道千歳市にて、2nmロジック半導体の開発を進めているRapidus株式会社。その経営理念と目指すところ、そして新たなる価値を生み出す半導体工場であるIIM（Innovative Integration for Manufacturing）の挑戦を説明。更には、半導体開発を進める上での検査計測技術の重要性と、検査計測装置から生み出されるデータの応用を紹介。 Rapidus株式会社 常務執行役員 オペレーション本部 副本部長 |
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| 技術講演 2 |
『次世代SiCデバイスに向けた材料・デバイス・プロセス技術』 電気自動車、サーバー電源、電鉄、送配電等の幅広い分野に適用が広がっているSiCデバイスについて、さらなる性能向上を目指した次世代技術としてSuper Junction(SJ)型デバイスが注目されている。 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 半導体事業部 フェロー |
| 技術講演 3 |
『最先端半導体LSIの動向と評価技術への期待』 最先端LSIでは、メモリー・ロジックともに、スケーリングの延長としての性能向上のトレンド維持のため3次元積層構造の導入が加速している。これら、新構造デバイスの実現には、EUVリソフィー技術に加えて、高アスペクトトレンチ加工のためのドライエッチング技術、良好な被覆を実現するALD（Atomic Layer Deposition ）技術、高度なエピタキシャル成長技術などが必要である。本講演ではこれら半導体LSIの最新動向について紹介し、評価技術に求められている期待について紹介。 明治大学 理工学部 教授 |
| 技術講演 4 |
『ワイドバンド半導体(SiC/GaN/Ga2O3)のエピ膜電気的欠陥測定』 日本セミラボ株式会社 Technical Application Support Leader |
注）都合により内容の変更がある場合がございます。
