単波長エリプソメトリー
太陽電池分野における基本的な測定の1つが、
テクスチャ化Siウェハー上に形成された薄膜の単純測定です。
例えば ・テクスチャ化多結晶（ポリ）Siセル
・テクスチャ化単結晶Siセル
・テクスチャ化多結晶Siウェハー
・テクスチャ化単結晶Siウェハー
反射防止薄膜（約80nmの窒化膜）などです。
この観察の対象は次のとおりです。
- ・膜 厚 （T）
- ・屈折率（n）
- ・吸収率（k）
セミラボの太陽電池分野向けSE装置には、特別なチップ回転式サンプルホルダーが付属しています。
この専用サンプルホルダー（156×156mm）には、信号取得を最適化する特別設計の機能が複数装備されており、
結晶構造のウェハー上に生成された薄膜の測定品質も最適化されます。
ピラミッド構造は、サンプルを定位置に保ちながら、正確な測定値が得られる方位にすることができます。
エリプソメトリーデータは次の手順で分析できます。
- 1.測定 – エリプソメトリー角：ΨとΔを測定
- 2.モデル – 積層のn & kモデルを構築
- 3.分析 – 回帰誤差の最小化
- 4.結果 – 膜厚（d）、屈折率（n）
特徴
- ・非接触・非破壊の光学的評価法
- ・厚さ、光学特性（t、n、k）、反射光の偏光の変化を測定
- ・サンプルをp偏光とs偏光の反射率で定義
- ・サンプルのリアルタイム測定を実施
- ・優れた感度と精度
- ・薄膜の検出限界がnmレベル未満
- ・インラインに導入でき、お客様の要件に応じて自由に調整可能
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