単波長エリプソメトリー

太陽電池分野における基本的な測定の1つが、テクスチャ化Siウェハー上に形成された薄膜の単純な測定です。たとえば、テクスチャ化多結晶(ポリ)Siセル、テクスチャ化単結晶Siセル、テクスチャ化多結晶Siウェハー、テクスチャ化単結晶Siウェハー、反射防止薄膜(約80nmの窒化膜)などです。

この観察の対象は次のとおりです。

  • 膜厚(T)
  • 屈折率(n)
  • 吸収率(k)

単波長エリプソメトリー

セミラボの太陽電池分野向けSE装置には、特別なチップ回転式サンプルホルダーが付属しています。この専用サンプルホルダー(156×156mm)には、信号取得を最適化する特別設計の機能が複数装備されており、よって結晶構造のウェハー上に生成された薄膜の測定品質も最適化されます。ピラミッド構造は、サンプルを定位置に保ちながら、正確な測定値が得られる方位にすることができます。エリプソメトリーデータは次の手順で分析できます。

  1. 測定 – エリプソメトリー角:ΨとΔを測定
  2. モデル – 積層のn & kモデルを構築
  3. 分析 – 回帰誤差の最小化
  4. 結果 – 膜厚(d)、屈折率(n)

 

特徴

  • 非接触・非破壊の光学的評価法
  • 厚さ、光学特性(t、n、k)、反射光の偏光の変化を測定
  • サンプルをp偏光とs偏光の反射率で定義
  • サンプルのリアルタイム測定を実施
  • 優れた感度と精度
  • 薄膜の検出限界がnmレベル未満
  • インラインに導入でき、お客様の要件に応じて自由に調整可能
製品ラインナップ

LE

短波長エリプソメーターが633nmで動作
取得時間が100ミリ秒~2秒と高速
回転補償子法
内蔵のSiフォトダイオード検出器による高いSNR
レシピの選択が簡単
製造工場のコンピュータへのリモート接続を介して結果データを転送

LE

 

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