単波長エリプソメトリー

太陽電池分野における基本的な測定の1つが、

テクスチャ化Siウェハー上に形成された薄膜の単純測定です。


例えば                  ・テクスチャ化多結晶(ポリ)Siセル
                             ・テクスチャ化単結晶Siセル
                             ・テクスチャ化多結晶Siウェハー
                             ・テクスチャ化単結晶Siウェハー

 
反射防止薄膜(約80nmの窒化膜)などです。

この観察の対象は次のとおりです。

  • ・膜 厚  (T)
  • ・屈折率(n)
  • ・吸収率(k)

単波長エリプソメトリー

セミラボの太陽電池分野向けSE装置には、特別なチップ回転式サンプルホルダーが付属しています。

この専用サンプルホルダー(156×156mm)には、信号取得を最適化する特別設計の機能が複数装備されており、

結晶構造のウェハー上に生成された薄膜の測定品質も最適化されます。

ピラミッド構造は、サンプルを定位置に保ちながら、正確な測定値が得られる方位にすることができます。

エリプソメトリーデータは次の手順で分析できます。

  1. 1.測定 – エリプソメトリー角:ΨとΔを測定
  2. 2.モデル – 積層のn & kモデルを構築
  3. 3.分析 – 回帰誤差の最小化
  4. 4.結果 – 膜厚(d)、屈折率(n)

 

特徴

  • ・非接触・非破壊の光学的評価法
  • ・厚さ、光学特性(t、n、k)、反射光の偏光の変化を測定
  • ・サンプルをp偏光とs偏光の反射率で定義
  • ・サンプルのリアルタイム測定を実施
  • ・優れた感度と精度
  • ・薄膜の検出限界がnmレベル未満
  • ・インラインに導入でき、お客様の要件に応じて自由に調整可能
製品ラインナップ

LE

・短波長エリプソメーターが633nmで動作。
・取得時間が100ミリ秒~2秒と高速。
・回転補償子法。
・内蔵のSiフォトダイオード検出器による高いSNR。
・レシピの選択が簡易。
・製造工場のコンピュータへのリモート接続を介して結果データを転送。

LE

 

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