弾性金属プローブCV測定(FCV)

 

 

FCV法は、ゲート酸化膜などの誘電体やソース/ドレインなどの極浅インプラントに関連する電気パラメータを高速に測定します。この方法は、広範囲のドーズ量に対して優れた感度を発揮します。

FCVは、ベアウェハーまたはパターン付きウェハー上のSi、SiC、GaNエピタキシャル層や、誘電体、PN接合の電気特性の測定に非常に有効な手法です。CV測定は特許取得済みのEMプローブ技術を使って化学的処理なしに行われ、水銀接触やウェハー表面のダメージ/汚染(コンタミネーション)の懸念がありません。

弾性金属プローブCVプロファイリング

FCVシステムは、小型弾性プローブを使い、誘電体表面に仮ゲートを形成します。

使用される弾性材プローブ(EMプローブ)には2種類あります。最初のA型プローブはすべてのCV、GV、表面抵抗率測定に使用されます。プローブ表面にある自己充足式誘電体が直接トンネル電流をブロックし、約6オングストロームまでのSiO2で漏洩のないCV測定を可能にします。IV測定にはC型プローブが使用されます。このプローブには酸化しにくい独自の金属が使われており、この酸化膜は絶縁性ではなく導電性です。弾性プローブの直径は30µm未満で、誘電体表面にダメージを与えません。

測定されるパラメータ:

  • キャパシタンス有効厚さ(CET)
  • 等価酸化膜厚(EOT)
  • 界面準位密度(Dit
  • フラットバンド電圧(Vfb
  • 閾値電圧(VT
  • 酸化物キャパシタンス
  • 平均表面ドーピング(NSURF
  • フラットバンド電圧の変化(Delta Vfb
  • コンダクタンスピーク(Gmax

FCVの順方向&逆方向CV曲線。CVベースの主なパラメータを図に示す。

FCVの順方向&逆方向CV曲線。CVベースの主なパラメータを図に示す。

特徴

  • ・エピ(Epi)層の高速モニタリングを行う非侵入弾性材プローブ
  • ・パターン付きウェハー用には金属パッド付属の硬質プローブ
  • ・特別設計のEMプローブにより、ウェハーへのダメージを解消

 

  • ・ウェハー表面にダメージや汚染を残さないEMプローブ
  • ・製品ウェハーの試験片での測定が可能
  • ・完全なCVプロファイリング(周波数1kHz~10MHz)
製品ラインナップ

FCV

ゲート誘電体の特性評価とイオン注入のモニタリング(10~250Å二酸化シリコンまたは高k誘電体)。部位ベースの測定(SEMI規格の試験パターンに従い、一般に5~9ポイント/ウェハー)。
特別設計のプローブは、ウェハー表面を汚染しないため、ウェハーにダメージを残しません。

  • 表面近傍の電気的に活性なドーパントの密度(NSURF、ρSURF
  • 抵抗率範囲:0.005~200Ωcm  
  • IVを1fAまで測定可能

測定機能:

  • CV測定
  • IV測定
  • 勾配電流ストレステスト(RCST)
  • 一定電流ストレステスト(CCST)

 

  • 勾配電圧ストレステスト(RVST)
  • 一定電圧ストレステスト(CVST)
  • オフラインキャリアプロファイリング

 

 

FCV

 

お問い合わせ

ご質問・ご相談はこちら

TEL 045-620-7960

日本セミラボ株式会社株式会社

〒222-0033
神奈川県横浜市港北区新横浜2-15-10
YS新横浜ビル6階
TEL: 045-620-7960(代表) FAX: 045-476-2146

セミラボグループ
セミラボグループロゴ
Semilab AMSロゴ
Semilab QC ロゴ
Semilab SDI ロゴ
Semilab Sopra ロゴ
Semilab SSM ロゴ