テクニカル セミナーのご案内

講演予定 2017年6月16日(金)10:00~16:30予定 (受付開始 09:30)

技術講演 1

『ビックデータの活用によるメモリ製造革新』
東芝メモリ株式会社 四日市工場では、抜本的な生産性改善を進めるべく、積極的にビックデータを活用している。 本講演では、ビックデータ活用の考え方を説明すると共に、機械学習導入など最新の取り組みについて発表する。

東芝メモリ株式会社  赤堀 浩史 氏
技術講演 2

『GaN基板上に作製したショットキーダイオードエピウエハの非接触C-V評価』 
近年、GaN縦型パワーデバイスの研究開発が盛んに行われているが、逆方向耐圧を決定するドリフト層のドナー濃度をウエハレベルで精確に評価した報告は少ない。 本講演では、非接触C-V評価装置(FAaST-210)を用いて、GaN基板上に作製したショットキーダイオードエピウエハのドナー濃度を評価した例を紹介する。

株式会社サイオクス  堀切 文正 氏
技術講演 3

『パワーデバイス用単結晶Siの微量炭素不純物の影響と定量法』
近年のパワーデバイス用基板の製法の影響でSi結晶中の微量炭素が活性化し、デバイス特性に影響を与える事例が出てきている。 セミナーではDLTSを用いて微量炭素を測定する手法を紹介する。

株式会社SUMCO   江里口 和隆 氏
技術講演 4

『SiCのキャリアライフタイム測定手法と結果の解釈』
SiCバイポーラデバイスの性能に影響を与える重要なパラメータであるキャリアライフタイムの測定手法と、正確な値を把握するための解釈を説明する。

名古屋工業大学  加藤 正史 准教授
技術講演 5

『クラスターイオン注入によるCMOSセンサのゲッタリング技術』
高感度CMOSイメージセンサの性能向上に資するシリコンウェーハの創出を目的に炭素クラスター注入を用いた近接ゲッタリングウェーハを開発した。 その研究成果と製品性能について紹介する。

株式会社SUMCO  栗田 一成 氏
技術講演 6

『DLTS最前線-GaNを中心として』
近年、発光デバイス、パワーデバイス用半導体材料として注目を集めているGaNを中心として、デバイスに重要な深い準位評価法であるDLTS法の測定原理とその結果について解説する。

愛知工業大学  徳田 豊 教授
技術講演 7

『キャリアライフタイム測定における紫外レーザーの活用』 
紫外レーザーを励起源に用いたキャリアライフタイム測定事例を紹介する。 Si材料では赤外レーザーに比べて極表面の評価が可能となる点、SiCでは、PL測定と比較しキャリアライフタイムに影響を与える要因について事例を示す。

株式会社東レリサーチセンター  森田 直威 氏
技術講演 8
『CIS/パワーデバイス Semilabソリューション』
高分解能PLによるCIS白傷欠陥評価、CIS/パワーデバイスの高アスペクト比・ディープトレンチ評価、化合物半導体(SiC/GaN)の非接触CV測定など

※ 17:00頃より、懇親会を予定しています。
注)都合により内容の変更がある場合がございます。

セミナー要項

日程 2017年6月16日(金)
時間 10:00 ~ 16:30 (受付9:30から)
※ 昼食有り・セミナー終了後に懇親会を予定しております。
場所 ザ・グランドティアラ名古屋駅前 (ザ・グランドティアラ名古屋駅前)
名古屋市中村区椿町 1-10 (名古屋駅から徒歩3分)
定員 80名(応募者多数の場合は、抽選とさせて頂きます)
参加費 無料
お申込み方法 >>> こちらをクリック
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