半導体      CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530

CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530

概要

CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。

CV測定装置水銀プローブMCV530は、装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。

CV 測定項目

1 . 酸化膜中の電荷の評価 ( VF B )
2 . 界面準位測定 ( Di t )
3 . エピ層の抵抗率測定 ( ρ )
4 . 低ドース イオン注入の部分的ドース量の評価 ( P I D )
5 . ライフタイム測定 ( τ g )
6 . 高/ 低 誘電材料の誘電率測定 ( ε )
7 . 絶縁膜の信頼性試験 ( T Z D B , T D D B )

特徴

■水銀プローブにより電極の形成が不要
■測定の再現性に優れている
  ショットキー :0.3% (1σ)
  MOS    :0.1% (1σ)
■ウェハー面内のマッピングが得られる
■水銀の交換が安全かつ容易(新開発)