半導体      CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500

CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500

概要

CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。

Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。

CV測定項目

1 . 酸化膜中の電荷の評価 ( VF B )
2 . 界面準位測定 ( Di t )
3 . エピ層の抵抗率測定 ( ρ )
4 . 低ドース イオン注入の部分的ドース量の評価 ( P I D )
5 . ライフタイム測定 ( τ g )
6 . 高/ 低 誘電材料の誘電率測定 ( ε )
7 . 絶縁膜の信頼性試験 ( T Z D B , T D D B )

仕様

300mm ウェハー対応、自動搬送機付き