SSMの製品一覧

  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500
    CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。 Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。
  • インライン向けCV測定・IV測定装置FastGate  FCV-2500/3000
    CV測定/IV測定装置FCVは、電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<20Å)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP170(マニュアルタイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 弊社の拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP2100(全自動タイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 拡がり抵抗測定装置SRP2100はプローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動測定が可能になりました。(サンプルは最大6個同時搭載可能です) 弊社拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。