半導体      結晶欠陥分析装置 SIRM-300

比抵抗測定器  RT-1000 - 太陽電池

概要

様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。
認識可能最少パーティクル20nm

結晶欠陥分析装置SIRM-300は、シリコンウエハの結晶欠陥を検査する装置です。非接触、非破壊にて結晶欠陥測定が可能な光学測定器です。