半導体      Junction Photo Voltage(JPV)

Junction Photo Voltage(JPV)- 半導体

概要

JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、空乏層の容量評価、PN接合試料のシート抵抗を高速に測定します。半導体プロセス管理で多数の実績がございます。

JPV法(ジャンクション・フォト・ボルテッジ法)を用いているため、高速で再現性の良いマッピング測定が可能です。

測定項目

- シート抵抗 (Rs)
- 接合(空乏層)の容量 (Cd)
- 漏れ電流 (ジャンクション・リーク)

特徴

- 非接触、非破壊測定
- プローブの調整は不要
- 測定のための特別な試料準備は不必要
- 表面に酸化膜やコーティングが存在しても測定可能
- 空間分解能の高い分布測定(マッピング)が高速で可能
- 再現性の高い測定が可能
- セミラボ社のベンチトッププラットフォームWT-2000、WT-2500、WT-3000や
 インラインのウェハーテスト装置に組みつけが可能

JPV測定事例

Junction Photo Voltage(JPV)- 半導体
異なるイオン注入条件でのジャンクション・リーク電流測定
Junction Photo Voltage(JPV)- 半導体
シート抵抗測定