半導体      転位欠陥 可視化装置 EnVision

EnVision 転位欠陥可視化装置

概要

15nmレベルの転位欠陥を可視化可能な半導体検査装置です。これまでプロセスエンジニアの経験と勘に頼っていたプロセス作業を、転位欠陥の可視化により定量的にプロセスの最適化が実現できます。
表面近傍では確認ができない深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。

特徴

- 転位欠陥を15nmレベルで可視化。
- 5sec/siteで転位欠陥の面内分布を可視化。
 (150x180umFOV)
- 深さ方向の転位欠陥の位置も特定可能
 (DTIの深さ方向ダメージの検証にも有効)

主な測定・評価項目

- PL法を利用した微細転位欠陥可視化装置
- 5Sec/Site
- 150x180umFOV
- 可視化限界:15nm

測定イメージ

転位欠陥 測定装置
プロセスの最適化 

転位欠陥検査
PLイメージ欠陥密度 vs 電気的欠陥の相関 

転位欠陥 測定
深さ方向の転位欠陥検証 

EnVision 転位欠陥可視化装置
面内の転位欠陥を短時間で表示