半導体      非接触CV測定装置 ACV-2500/3000

非接触CV測定装置 ACV-2500/3000 - 半導体

概要

非接触CV測定装置ACV-2500/3000では、ウェハがP型の場合にはプローブへ強電界として正の電極、N型の場合は負の電極を与える事で空乏層を伸ばす原理を利用しています。
この空乏層の伸びからキャリア濃度を算出し、ASTM・F723を使用して比抵抗へ変換させます。

ACVはガードと呼ばれる電極をプローブの周囲に張り巡らせ、印可電圧とは逆の電界を印可する事により、少数キャリアの侵入を防ぎます。これにより、正確なプロファイル測定を可能にしています。

非接触でCV測定・プロファイル測定が可能です。
高スループット(測定スピード 1pt/1分)

特徴

■ 非接触・非破壊CV測定
■ ウェハ表面処理機構内蔵
■ 高スループット1ポイント/1分
■ プロファイル測定可
■ ウェハマップ可

主な測定・評価項目

■ 抵抗率(Res)
■ ドーピング濃度(Nsc)
■ 表面電位変化(ts)
■ 空乏層厚(Wd)
■ 極性(p/n)
■ プロファイル

測定原理

測定データイメージ

非接触CV測定装置 ACV-2500/3000