半導体 製品一覧

  • 分光エリプソメーター SE-2000
    分光エリプソメーターのパイオニアであるSopra時代から、セミラボでは数多くの分光エリプソメーターを販売してきました。新製品エリプソメーターSE-2000では、従来の分光エリプソメトリーで培われた経験と技術を継承しつつ、数多くのお客様の声を元に改善を行い、その結果、従来機以上の測定精度、操作性、安定性を実現しました。使い勝手の良い解析ソフトウェアと豊富なデーターベースで、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用頂けます。
  • トレンチ形状検査装置 IR2100
    トレンチ形状検査装置IR2100は、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。独自技術MBIR(Model Based Infrared)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。
  • CV測定/IV測定装置 インライン汚染管理モニター FAaST
    CV測定/IV測定装置インライン汚染管理モニターFAaSTは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く使用されています。世界で400台以上の実績がある非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。 CV測定/IV測定 FAaSTでは、測定原理としてDSPVを採用することで鉄濃度測定の感度E8を実現し、特に近年のCMOSイメージセンサーやSiCパワーデバイスの歩留まり向上に寄与しております。
  • 分光エリプソメーター GES5E
    分光エリプソメーターのパイオニア 仏SOPRA社の技術を継承し、SEMILAB社として製品をご提供しています。 分光エリプソメータ業界屈指の実績があり、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用を頂いています。
  • DLTSシステム DLS-1000
    DLTS測定評価システム「DLS-1000」は、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。
  • ロールツーロール 分光エリプソメーター R2R
    ロールツーロール(Roll to Roll/ロールtoロール) 生産工程で、薄膜フィルムの膜厚と光学定数(屈折率、消衰係数)の測定・検査を行います。QCモニタリングにて多くの実績があります。
  • 非接触CV測定装置 ACV-2500/3000
    非接触CV測定装置ACV-2500/3000では、ウェハがP型の場合にはプローブへ強電界として正の電極、N型の場合は負の電極を与える事で空乏層を伸ばす原理を利用しています。 この空乏層の伸びからキャリア濃度を算出し、ASTM・F723を使用して比抵抗へ変換させます。 ACVはガードと呼ばれる電極をプローブの周囲に張り巡らせ、印可電圧とは逆の電界を印可する事により、少数キャリアの侵入を防ぎます。これにより、正確なプロファイル測定を可能にしています。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500
    CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。 Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。
  • ライフタイム測定装置 WT-2000
    ライフタイム測定装置WT-2000は、半導体、太陽電池業界においてキャリアのライフタイムを評価するために幅広く使用されています。u-PCD法によりシリコン・ブロックやウェハーのマイノリティキャリア・ライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 (シリコン・ウェハー/ブロック) ※ インライン全自動ライフタイム測定装置 WT-2000PIもございます。
  • Junction Photo Voltage(JPV)
    JPV法により、非接触で、PNジャンクションのジャンクション・リーク、空乏層の容量評価、PN接合試料のシート抵抗を高速に測定します。半導体プロセス管理で多数の実績がございます。
  • 製膜プロセス管理 分光エリプソメーター SE-2500
    分光エリプソメーターSE-2500は、製膜プロセス管理に最適なツールです。ウェハー面内の膜厚と屈折率を正確に測定します。リアルタイム・オートフォーカス機能により高速で再現性の良い測定が可能です。
  • 非接触・非破壊インプラモニター PMR-3000
    非接触・非破壊インプラモニターPMR-3000はインプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深度測定を非接触・非破壊で行う装置です
  • シリコンブロック内異物検査装置 IRB-50
    IRB-50は、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。 ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前にIRB-50にて内部異物を検出し、対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。 IRB-30の後継機となり、エリアスキャンからラインスキャンとなったことで、測定分解能、精度、設置面積が改善されました。
  • インライン向けCV測定・IV測定装置FastGate  FCV-2500/3000
    CV測定/IV測定装置FCVは、電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<20Å)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。
  • 結晶欠陥測定装置 LST-300
    結晶欠陥測定装置LST-300は、半導体の結晶欠陥を検査する装置です。入射レーザーにより生じたBMDの散乱光をウェハー断面近傍にあるCCDカメラで記録し、高い解像度による迅速な測定が可能です
  • 結晶欠陥分析装置 SIRM-300
    様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。 認識可能最少パーティクル20nm
  • フォトルミネッセンス PLI-1001
    インライン・フォトルミネッセンスPLI-1001は、半導体プロセスのあらゆる工程でウェアの品質検査を非接触で高速に行います。 製造工程で、品質管理をフルにコントロールすることにより、歩留りの改善に貢献します。
  • 単結晶インゴット用ライフタイム測定器 WT-2000PI
    ライフタイム測定器 WT-2000PIは、e-PCD技術を使用し、 パッシベーション処理なしの単結晶シリコンインゴット状態で 少数キャリアライフタイムを測定します。
  • PN判定器 PN-100
    PN判定器 PN-100は、半導体材料を非接触/非破壊にてP/Nタイプ判定いたします。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP170(マニュアルタイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 弊社の拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP2100(全自動タイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 拡がり抵抗測定装置SRP2100はプローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動測定が可能になりました。(サンプルは最大6個同時搭載可能です) 弊社拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。
  • 薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300
    非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。
  • サーフェイスチャージプロファイラー QC2500
    QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ(SPV)法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算(ASTM)します。
  • 表面電荷分析装置 SCA-2011
    SCA-2011 表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、CVD膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。

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  • 分光エリプソメーター SE-2000
    分光エリプソメーターのパイオニアであるSopra時代から、セミラボでは数多くの分光エリプソメーターを販売してきました。新製品エリプソメーターSE-2000では、従来の分光エリプソメトリーで培われた経験と技術を継承しつつ、数多くのお客様の声を元に改善を行い、その結果、従来機以上の測定精度、操作性、安定性を実現しました。使い勝手の良い解析ソフトウェアと豊富なデーターベースで、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用頂けます。
  • トレンチ形状検査装置 IR2100
    トレンチ形状検査装置IR2100は、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。独自技術MBIR(Model Based Infrared)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。
  • CV測定/IV測定装置 インライン汚染管理モニター FAaST
    CV測定/IV測定装置インライン汚染管理モニターFAaSTは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く使用されています。世界で400台以上の実績がある非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。 CV測定/IV測定 FAaSTでは、測定原理としてDSPVを採用することで鉄濃度測定の感度E8を実現し、特に近年のCMOSイメージセンサーやSiCパワーデバイスの歩留まり向上に寄与しております。
  • 分光エリプソメーター GES5E
    分光エリプソメーターのパイオニア 仏SOPRA社の技術を継承し、SEMILAB社として製品をご提供しています。 分光エリプソメータ業界屈指の実績があり、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用を頂いています。
  • DLTSシステム DLS-1000
    DLTS測定評価システム「DLS-1000」は、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです
  • 赤外分光エリプソメーター IRSE (フーリエ変換型)
    赤外分光エリプソメーターにより、厚膜測定や様々な物質構造の解析を非接触・非破壊で行います。お客様のご希望やアプリケーションに合わせて、最適な測定波長範囲の装置をご提案させて頂きます。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。
  • 真空紫外 分光エリプソメーター PUV-SE
    真空紫外分光エリプソメータPUV-SEは、窒素パージシステムにより真空紫外135nm-650nmの測定・検査が可能です。 フォトレジストやARCなどの次世代リソグラフティー材料開発に最適。 前分光システムによりサンプルに余計なダメージを与えず、フォトンカウントモードにより高精度な測定・検査が可能です。
  • 非接触CV測定装置 ACV-2500/3000
    非接触CV測定装置ACV-2500/3000では、ウェハがP型の場合にはプローブへ強電界として正の電極、N型の場合は負の電極を与える事で空乏層を伸ばす原理を利用しています。 この空乏層の伸びからキャリア濃度を算出し、ASTM・F723を使用して比抵抗へ変換させます。 ACVはガードと呼ばれる電極をプローブの周囲に張り巡らせ、印可電圧とは逆の電界を印可する事により、少数キャリアの侵入を防ぎます。これにより、正確なプロファイル測定を可能にしています。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500
    CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。 Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。
  • ライフタイム測定装置 WT-2000
    ライフタイム測定装置WT-2000は、半導体、太陽電池業界においてキャリアのライフタイムを評価するために幅広く使用されています。u-PCD法によりシリコン・ブロックやウェハーのマイノリティキャリア・ライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。 (シリコン・ウェハー/ブロック) ※ インライン全自動ライフタイム測定装置 WT-2000PIもございます。
  • 製膜プロセス管理 分光エリプソメーター SE-2500
    分光エリプソメーターSE-2500は、製膜プロセス管理に最適なツールです。ウェハー面内の膜厚と屈折率を正確に測定します。リアルタイム・オートフォーカス機能により高速で再現性の良い測定が可能です。
  • インライン向けCV測定・IV測定装置FastGate  FCV-2500/3000
    CV測定/IV測定装置FCVは、電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<20Å)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。
  • 結晶欠陥測定装置 LST-300
    結晶欠陥測定装置LST-300は、半導体の結晶欠陥を検査する装置です。入射レーザーにより生じたBMDの散乱光をウェハー断面近傍にあるCCDカメラで記録し、高い解像度による迅速な測定が可能です
  • 結晶欠陥分析装置 SIRM-300
    様々なバルク特性解析(バルク/半導体ウェハーの表面付近の酸素、金属 堆積物、空乏層、積層欠陥、スリップライン、転位)が可能です。 認識可能最少パーティクル20nm
  • フォトルミネッセンス PLI-1001
    インライン・フォトルミネッセンスPLI-1001は、半導体プロセスのあらゆる工程でウェアの品質検査を非接触で高速に行います。 製造工程で、品質管理をフルにコントロールすることにより、歩留りの改善に貢献します。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP170(マニュアルタイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 弊社の拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP2100(全自動タイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 拡がり抵抗測定装置SRP2100はプローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動測定が可能になりました。(サンプルは最大6個同時搭載可能です) 弊社拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。
  • サーフェイスチャージプロファイラー QC2500
    QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ(SPV)法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算(ASTM)します。

Sic

  • 分光エリプソメーター SE-2000
    分光エリプソメーターのパイオニアであるSopra時代から、セミラボでは数多くの分光エリプソメーターを販売してきました。新製品エリプソメーターSE-2000では、従来の分光エリプソメトリーで培われた経験と技術を継承しつつ、数多くのお客様の声を元に改善を行い、その結果、従来機以上の測定精度、操作性、安定性を実現しました。使い勝手の良い解析ソフトウェアと豊富なデーターベースで、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用頂けます。
  • トレンチ形状検査装置 IR2100
    トレンチ形状検査装置IR2100は、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。独自技術MBIR(Model Based Infrared)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。
  • CV測定/IV測定装置 インライン汚染管理モニター FAaST
    CV測定/IV測定装置インライン汚染管理モニターFAaSTは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く使用されています。世界で400台以上の実績がある非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。 CV測定/IV測定 FAaSTでは、測定原理としてDSPVを採用することで鉄濃度測定の感度E8を実現し、特に近年のCMOSイメージセンサーやSiCパワーデバイスの歩留まり向上に寄与しております。
  • 分光エリプソメーター GES5E
    分光エリプソメーターのパイオニア 仏SOPRA社の技術を継承し、SEMILAB社として製品をご提供しています。 分光エリプソメータ業界屈指の実績があり、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用を頂いています。
  • DLTSシステム DLS-1000
    DLTS測定評価システム「DLS-1000」は、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです
  • 赤外分光エリプソメーター IRSE (フーリエ変換型)
    赤外分光エリプソメーターにより、厚膜測定や様々な物質構造の解析を非接触・非破壊で行います。お客様のご希望やアプリケーションに合わせて、最適な測定波長範囲の装置をご提案させて頂きます。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。
  • 真空紫外 分光エリプソメーター PUV-SE
    真空紫外分光エリプソメータPUV-SEは、窒素パージシステムにより真空紫外135nm-650nmの測定・検査が可能です。 フォトレジストやARCなどの次世代リソグラフティー材料開発に最適。 前分光システムによりサンプルに余計なダメージを与えず、フォトンカウントモードにより高精度な測定・検査が可能です。
  • 非接触CV測定装置 ACV-2500/3000
    非接触CV測定装置ACV-2500/3000では、ウェハがP型の場合にはプローブへ強電界として正の電極、N型の場合は負の電極を与える事で空乏層を伸ばす原理を利用しています。 この空乏層の伸びからキャリア濃度を算出し、ASTM・F723を使用して比抵抗へ変換させます。 ACVはガードと呼ばれる電極をプローブの周囲に張り巡らせ、印可電圧とは逆の電界を印可する事により、少数キャリアの侵入を防ぎます。これにより、正確なプロファイル測定を可能にしています。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500
    CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。 Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。
  • 製膜プロセス管理 分光エリプソメーター SE-2500
    分光エリプソメーターSE-2500は、製膜プロセス管理に最適なツールです。ウェハー面内の膜厚と屈折率を正確に測定します。リアルタイム・オートフォーカス機能により高速で再現性の良い測定が可能です。
  • 結晶欠陥測定装置 LST-300
    結晶欠陥測定装置LST-300は、半導体の結晶欠陥を検査する装置です。入射レーザーにより生じたBMDの散乱光をウェハー断面近傍にあるCCDカメラで記録し、高い解像度による迅速な測定が可能です
  • フォトルミネッセンス PLI-1001
    インライン・フォトルミネッセンスPLI-1001は、半導体プロセスのあらゆる工程でウェアの品質検査を非接触で高速に行います。 製造工程で、品質管理をフルにコントロールすることにより、歩留りの改善に貢献します。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP170(マニュアルタイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 弊社の拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。

Low-k 膜

  • 分光エリプソメーター SE-2000
    分光エリプソメーターのパイオニアであるSopra時代から、セミラボでは数多くの分光エリプソメーターを販売してきました。新製品エリプソメーターSE-2000では、従来の分光エリプソメトリーで培われた経験と技術を継承しつつ、数多くのお客様の声を元に改善を行い、その結果、従来機以上の測定精度、操作性、安定性を実現しました。使い勝手の良い解析ソフトウェアと豊富なデーターベースで、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用頂けます。
  • CV測定/IV測定装置 インライン汚染管理モニター FAaST
    CV測定/IV測定装置インライン汚染管理モニターFAaSTは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く使用されています。世界で400台以上の実績がある非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。 CV測定/IV測定 FAaSTでは、測定原理としてDSPVを採用することで鉄濃度測定の感度E8を実現し、特に近年のCMOSイメージセンサーやSiCパワーデバイスの歩留まり向上に寄与しております。
  • 分光エリプソメーター GES5E
    分光エリプソメーターのパイオニア 仏SOPRA社の技術を継承し、SEMILAB社として製品をご提供しています。 分光エリプソメータ業界屈指の実績があり、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用を頂いています。
  • 赤外分光エリプソメーター IRSE (フーリエ変換型)
    赤外分光エリプソメーターにより、厚膜測定や様々な物質構造の解析を非接触・非破壊で行います。お客様のご希望やアプリケーションに合わせて、最適な測定波長範囲の装置をご提案させて頂きます。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。
  • 真空紫外 分光エリプソメーター PUV-SE
    真空紫外分光エリプソメータPUV-SEは、窒素パージシステムにより真空紫外135nm-650nmの測定・検査が可能です。 フォトレジストやARCなどの次世代リソグラフティー材料開発に最適。 前分光システムによりサンプルに余計なダメージを与えず、フォトンカウントモードにより高精度な測定・検査が可能です。
  • 非接触CV測定装置 ACV-2500/3000
    非接触CV測定装置ACV-2500/3000では、ウェハがP型の場合にはプローブへ強電界として正の電極、N型の場合は負の電極を与える事で空乏層を伸ばす原理を利用しています。 この空乏層の伸びからキャリア濃度を算出し、ASTM・F723を使用して比抵抗へ変換させます。 ACVはガードと呼ばれる電極をプローブの周囲に張り巡らせ、印可電圧とは逆の電界を印可する事により、少数キャリアの侵入を防ぎます。これにより、正確なプロファイル測定を可能にしています。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500
    CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。 Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。
  • 製膜プロセス管理 分光エリプソメーター SE-2500
    分光エリプソメーターSE-2500は、製膜プロセス管理に最適なツールです。ウェハー面内の膜厚と屈折率を正確に測定します。リアルタイム・オートフォーカス機能により高速で再現性の良い測定が可能です。
  • インライン向けCV測定・IV測定装置FastGate  FCV-2500/3000
    CV測定/IV測定装置FCVは、電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<20Å)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。
  • フォトルミネッセンス PLI-1001
    インライン・フォトルミネッセンスPLI-1001は、半導体プロセスのあらゆる工程でウェアの品質検査を非接触で高速に行います。 製造工程で、品質管理をフルにコントロールすることにより、歩留りの改善に貢献します。
  • 光学式ポロシメーター EP
    細孔率・細孔径分布測定装置 ※ 欧州産学連携機関 IMECの技術によりSOPRALABにて開発。     WORLDWIDEで多数実績があります。
  • 薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300
    非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、 ポアソン比を測定することができる。

High-k 膜

  • 分光エリプソメーター SE-2000
    分光エリプソメーターのパイオニアであるSopra時代から、セミラボでは数多くの分光エリプソメーターを販売してきました。新製品エリプソメーターSE-2000では、従来の分光エリプソメトリーで培われた経験と技術を継承しつつ、数多くのお客様の声を元に改善を行い、その結果、従来機以上の測定精度、操作性、安定性を実現しました。使い勝手の良い解析ソフトウェアと豊富なデーターベースで、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用頂けます。
  • CV測定/IV測定装置 インライン汚染管理モニター FAaST
    CV測定/IV測定装置インライン汚染管理モニターFAaSTは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く使用されています。世界で400台以上の実績がある非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。 CV測定/IV測定 FAaSTでは、測定原理としてDSPVを採用することで鉄濃度測定の感度E8を実現し、特に近年のCMOSイメージセンサーやSiCパワーデバイスの歩留まり向上に寄与しております。
  • 分光エリプソメーター GES5E
    分光エリプソメーターのパイオニア 仏SOPRA社の技術を継承し、SEMILAB社として製品をご提供しています。 分光エリプソメータ業界屈指の実績があり、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用を頂いています。
  • DLTSシステム DLS-1000
    DLTS測定評価システム「DLS-1000」は、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです
  • 赤外分光エリプソメーター IRSE (フーリエ変換型)
    赤外分光エリプソメーターにより、厚膜測定や様々な物質構造の解析を非接触・非破壊で行います。お客様のご希望やアプリケーションに合わせて、最適な測定波長範囲の装置をご提案させて頂きます。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。
  • 真空紫外 分光エリプソメーター PUV-SE
    真空紫外分光エリプソメータPUV-SEは、窒素パージシステムにより真空紫外135nm-650nmの測定・検査が可能です。 フォトレジストやARCなどの次世代リソグラフティー材料開発に最適。 前分光システムによりサンプルに余計なダメージを与えず、フォトンカウントモードにより高精度な測定・検査が可能です。
  • 非接触CV測定装置 ACV-2500/3000
    非接触CV測定装置ACV-2500/3000では、ウェハがP型の場合にはプローブへ強電界として正の電極、N型の場合は負の電極を与える事で空乏層を伸ばす原理を利用しています。 この空乏層の伸びからキャリア濃度を算出し、ASTM・F723を使用して比抵抗へ変換させます。 ACVはガードと呼ばれる電極をプローブの周囲に張り巡らせ、印可電圧とは逆の電界を印可する事により、少数キャリアの侵入を防ぎます。これにより、正確なプロファイル測定を可能にしています。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500
    CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。 Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。
  • 製膜プロセス管理 分光エリプソメーター SE-2500
    分光エリプソメーターSE-2500は、製膜プロセス管理に最適なツールです。ウェハー面内の膜厚と屈折率を正確に測定します。リアルタイム・オートフォーカス機能により高速で再現性の良い測定が可能です。
  • インライン向けCV測定・IV測定装置FastGate  FCV-2500/3000
    CV測定/IV測定装置FCVは、電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<20Å)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。
  • フォトルミネッセンス PLI-1001
    インライン・フォトルミネッセンスPLI-1001は、半導体プロセスのあらゆる工程でウェアの品質検査を非接触で高速に行います。 製造工程で、品質管理をフルにコントロールすることにより、歩留りの改善に貢献します。

パワーデバイス

  • 分光エリプソメーター SE-2000
    分光エリプソメーターのパイオニアであるSopra時代から、セミラボでは数多くの分光エリプソメーターを販売してきました。新製品エリプソメーターSE-2000では、従来の分光エリプソメトリーで培われた経験と技術を継承しつつ、数多くのお客様の声を元に改善を行い、その結果、従来機以上の測定精度、操作性、安定性を実現しました。使い勝手の良い解析ソフトウェアと豊富なデーターベースで、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用頂けます。
  • トレンチ形状検査装置 IR2100
    トレンチ形状検査装置IR2100は、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。独自技術MBIR(Model Based Infrared)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。
  • CV測定/IV測定装置 インライン汚染管理モニター FAaST
    CV測定/IV測定装置インライン汚染管理モニターFAaSTは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く使用されています。世界で400台以上の実績がある非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。 CV測定/IV測定 FAaSTでは、測定原理としてDSPVを採用することで鉄濃度測定の感度E8を実現し、特に近年のCMOSイメージセンサーやSiCパワーデバイスの歩留まり向上に寄与しております。
  • 分光エリプソメーター GES5E
    分光エリプソメーターのパイオニア 仏SOPRA社の技術を継承し、SEMILAB社として製品をご提供しています。 分光エリプソメータ業界屈指の実績があり、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用を頂いています。
  • DLTSシステム DLS-1000
    DLTS測定評価システム「DLS-1000」は、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです
  • 赤外分光エリプソメーター IRSE (フーリエ変換型)
    赤外分光エリプソメーターにより、厚膜測定や様々な物質構造の解析を非接触・非破壊で行います。お客様のご希望やアプリケーションに合わせて、最適な測定波長範囲の装置をご提案させて頂きます。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。
  • 真空紫外 分光エリプソメーター PUV-SE
    真空紫外分光エリプソメータPUV-SEは、窒素パージシステムにより真空紫外135nm-650nmの測定・検査が可能です。 フォトレジストやARCなどの次世代リソグラフティー材料開発に最適。 前分光システムによりサンプルに余計なダメージを与えず、フォトンカウントモードにより高精度な測定・検査が可能です。
  • 非接触CV測定装置 ACV-2500/3000
    非接触CV測定装置ACV-2500/3000では、ウェハがP型の場合にはプローブへ強電界として正の電極、N型の場合は負の電極を与える事で空乏層を伸ばす原理を利用しています。 この空乏層の伸びからキャリア濃度を算出し、ASTM・F723を使用して比抵抗へ変換させます。 ACVはガードと呼ばれる電極をプローブの周囲に張り巡らせ、印可電圧とは逆の電界を印可する事により、少数キャリアの侵入を防ぎます。これにより、正確なプロファイル測定を可能にしています。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500
    CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。 Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。
  • 製膜プロセス管理 分光エリプソメーター SE-2500
    分光エリプソメーターSE-2500は、製膜プロセス管理に最適なツールです。ウェハー面内の膜厚と屈折率を正確に測定します。リアルタイム・オートフォーカス機能により高速で再現性の良い測定が可能です。
  • フォトルミネッセンス PLI-1001
    インライン・フォトルミネッセンスPLI-1001は、半導体プロセスのあらゆる工程でウェアの品質検査を非接触で高速に行います。 製造工程で、品質管理をフルにコントロールすることにより、歩留りの改善に貢献します。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP170(マニュアルタイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 弊社の拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP2100(全自動タイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 拡がり抵抗測定装置SRP2100はプローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動測定が可能になりました。(サンプルは最大6個同時搭載可能です) 弊社拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。
  • サーフェイスチャージプロファイラー QC2500
    QC2500シリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率をモニターすることができます。測定原理としてサーフェイスフォトボルテージ(SPV)法を用いてウェハー上にパルス光を照射することによりウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算(ASTM)します。
  • 表面電荷分析装置 SCA-2011
    SCA-2011 表面電荷分析装置は、半導体前工程管理とりわけ熱酸化膜、CVD膜形成、メタライゼーション、洗浄及びエッチングなどプロセス中に生じた汚染とダメージのモニタリングに最適です。

イオン注入

  • 分光エリプソメーター SE-2000
    分光エリプソメーターのパイオニアであるSopra時代から、セミラボでは数多くの分光エリプソメーターを販売してきました。新製品エリプソメーターSE-2000では、従来の分光エリプソメトリーで培われた経験と技術を継承しつつ、数多くのお客様の声を元に改善を行い、その結果、従来機以上の測定精度、操作性、安定性を実現しました。使い勝手の良い解析ソフトウェアと豊富なデーターベースで、研究開発からインライン生産品質管理など様々な用途でご使用頂けます。
  • CV測定/IV測定装置 インライン汚染管理モニター FAaST
    CV測定/IV測定装置インライン汚染管理モニターFAaSTは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの汚染評価・検査用途で、半導体業界で幅広く使用されています。世界で400台以上の実績がある非接触・非破壊式の重金属汚染・CV/IV・膜評価・検査装置です。 CV測定/IV測定 FAaSTでは、測定原理としてDSPVを採用することで鉄濃度測定の感度E8を実現し、特に近年のCMOSイメージセンサーやSiCパワーデバイスの歩留まり向上に寄与しております。
  • DLTSシステム DLS-1000
    DLTS測定評価システム「DLS-1000」は、ウェハープロセス時に生じる金属汚染及びダメージ等による結晶欠陥を電気的に高感度に測定・分析を行うシステムです
  • 赤外分光エリプソメーター IRSE (フーリエ変換型)
    赤外分光エリプソメーターにより、厚膜測定や様々な物質構造の解析を非接触・非破壊で行います。お客様のご希望やアプリケーションに合わせて、最適な測定波長範囲の装置をご提案させて頂きます。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV530
    CV測定装置水銀プローブMCV530は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCV530ではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。
  • 非接触CV測定装置 ACV-2500/3000
    非接触CV測定装置ACV-2500/3000では、ウェハがP型の場合にはプローブへ強電界として正の電極、N型の場合は負の電極を与える事で空乏層を伸ばす原理を利用しています。 この空乏層の伸びからキャリア濃度を算出し、ASTM・F723を使用して比抵抗へ変換させます。 ACVはガードと呼ばれる電極をプローブの周囲に張り巡らせ、印可電圧とは逆の電界を印可する事により、少数キャリアの侵入を防ぎます。これにより、正確なプロファイル測定を可能にしています。
  • CV測定/IV測定装置 水銀プローブ MCV2500
    CV測定/IV測定装置水銀プローブMCV2500は、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し,MOS構造・ショットキー構造形成後にCV測定/IV特性評価を行っておりましたが、MCV2500ではこの電極形成の必要がなく容易に検査することが可能です。 Hg-CV/IV測定装置は装置自身がゲート電極を持つため,メタルゲート作成なしに酸化膜や ウェハーの電気特性を得ることを可能にしており,プロセスモニタリングによる素早いフィードバックやR&Dにおける開発 時間の短縮,Low コスト化を提供します。Epiの抵抗率、Low-k膜の誘電率、TFT 低温ポリシリコンのゲート評価、SiC のキャリア濃度測定など、数多くのアプリケーションで使用されています。
  • 製膜プロセス管理 分光エリプソメーター SE-2500
    分光エリプソメーターSE-2500は、製膜プロセス管理に最適なツールです。ウェハー面内の膜厚と屈折率を正確に測定します。リアルタイム・オートフォーカス機能により高速で再現性の良い測定が可能です。
  • インライン向けCV測定・IV測定装置FastGate  FCV-2500/3000
    CV測定/IV測定装置FCVは、電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。 USL(極浅層<40nm)のイオン注入、低ドース・イオン注入のドース量モニタリング、極薄酸化膜(<20Å)の電気的膜厚測定 SiON 膜,High k膜の誘電率測定、Epi の 抵抗率測定などが可能です。
  • フォトルミネッセンス PLI-1001
    インライン・フォトルミネッセンスPLI-1001は、半導体プロセスのあらゆる工程でウェアの品質検査を非接触で高速に行います。 製造工程で、品質管理をフルにコントロールすることにより、歩留りの改善に貢献します。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP170(マニュアルタイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 弊社の拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。
  • 拡がり抵抗測定装置   SRP2100(全自動タイプ)
    拡がり抵抗測定装置SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。 拡がり抵抗測定装置SRP2100はプローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動測定が可能になりました。(サンプルは最大6個同時搭載可能です) 弊社拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置です。 半導体マーケットでの多数の実績と豊富な経験により、デバイス開発に貢献しています。