半導体      薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300

薄膜膜厚・ヤング率測定装置 SW3300 - 半導体

概要

非接触、非破壊でウェハー基板上の薄膜膜厚、膜のヤング率、
ポアソン比を測定することができる。

測定原理

パルスレーザーを薄膜表面に 照射し、薄膜上で熱に変換されたエネルギーが
薄膜を熱膨張させる。
局所的に膨張した薄膜表面では音響振動が発生する。この音響振動の周波数
を物理モデルに導入し薄膜の膜厚やヤング率、ポアソン比を算出する。

特徴

・膜厚測定スループット:
  55 枚/ 1 時間(1 パラメータ測定)
  9 点測定(パターン認識ありの場合) 光学系
・繰り返し再現性σ:
  膜厚: 0.25%  ヤング率: 0.5% (Low-k 膜)
・光学系:
  プローブスポットサイズ: 15×30 μm 
  励起音響波長: 2×11 μm
・ロードポート
  FOUP, SMIF, or OC; dual
・ミニエンバイロメント
  Class 1000 のクリーンルーム環境でClass 1 対応
・オートメーション
  GEM 300, SEMI 300mm, SEMI S2-0200, and CE 等に準拠