半導体      トレンチ形状検査装置 IR2100

トレンチ形状検査装置 IR2100 - 半導体

概要

トレンチ形状検査装置IR2100は、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造やTSV形状、DRAMのキャパシタートレンチの深さ、CD測定、リセス形状を非接触・非破壊で測定します。独自技術MBIR(Model Based Infrared)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。また、エピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。

- パワーデバイス(SiC, Si, GaN)の
 ハイアスペクト・ディープトレンチ深さ測定
- TSV形状検査
- アモルファス・カーボン膜厚測定
- DRAM キャパシタートレンチ深さ
- CD測定
- リセス測定
- エピ膜のドープ濃度プロファイル測定

トレンチ測定原理

トレンチ形状検査装置では、広波長帯域の赤外線を干渉計に導き変調します。変調された赤外線を薄膜表面に照射すると、薄膜各層の界面から(多重)反射した光は光学干渉を起こします。干渉波形(インターフェログラム)は検出器にて観察され、これをフーリエ変換し反射率スペクトルを得ます。この反射率スペクトルは既存のFTIR解析技術に加え、各種測定アプリケーション(膜材とその構造)に対応可能なデータベース化された解析モデルを使用して、非破壊で測定対象(主に絶縁膜)の膜厚検査、トレンチ深さ測定、空孔率、ドープ濃度、TSV形状、リセス形状、アモルファス・カーボン膜厚値などを数秒で同時測定することができます。

特徴

・膜厚測定スループット:
60 枚/ 1時間 (1パラメータ測定)
5点測定(パターン認識ありの場合)
・光学系:
プローブスポットサイズ:200x800 μm
または 70 μm φ 
使用赤外光波長: 0.9-20 μm
(NIRオプションあり)
・ロードポート
FOUP, SMIF, or OC; dual
・ミニエンバイロメント
Class 1000のクリーンルーム環境でClass 1対応
・オートメーション
GEM 300, SEMI 300mm (IR3100, IR2500のみ), SEMI S2-0200, and CE等に準拠

トレンチ測定 ウェハ自動搬送システム IR2500

トレンチ形状検査装置 IR2100 - 半導体
IR2500 ウェハ自動搬送システム

マッピング測定イメージ

トレンチ形状検査装置 IR2100 - 半導体
トレンチ マッピング測定イメージ